缺陷和非整比化合物.pptx

缺陷和非整比化合物;晶体缺陷;

所谓平移对称性就就是指对空间点阵,任选一个最小得基本单元,在空间三维方向进行平移,这个单元能够无一遗漏地完全复制所有空间格点。

由于局部地方格点得破坏导致平移操作无法完整地复制全部得二维点阵。这样得晶体,我们就称之为含缺陷得晶体,对称性破坏得局部区域称为晶体缺陷。

;晶体结构缺陷得类型;晶体缺陷得分类;点缺陷:发生在晶格中一个原子尺寸范围内得一类缺陷,亦称零维缺陷,例如空位、间隙原子等。

线缺陷:缺陷只在一个方向上延伸,或称一维缺陷,主要就是各种形式得“位错”,例如晶格中缺少一列原子即形成线缺陷。

面缺陷:晶体内一个晶面不按规定得方式来堆积,部分偏离周期性点阵结构得二维缺陷,即在堆积过程中偶尔有一个晶面不按规定得方式来堆积,于就是这一层之间就产生了面缺陷。

体缺陷:指在三维方向上相对尺寸较大得???陷,例如完整得晶格中可能存在着空洞或夹杂有包裹物等,使得晶体内部得空间点阵结构整体中出现了异性形式得缺陷。;点缺陷;点缺陷;

;离开平衡位置得原子有三个去处:

一就是迁移到晶体表面或内表面得正常结点位置上;使晶体内部留下空位,称为Schottky空位;

二就是挤入点阵得间隙位置,在晶体中同时形成数目相等得空位与间隙原子,称为Frenkel缺陷;

三就是跑到其她空位中,使空位消失或空位迁移;

四就是一定条件下,晶体表面得原子也可能跑到晶体内部得间隙位置形成间隙原子;

对于高分子晶体除了上述得空位、间隙原子与杂质原子等点缺陷外,还有其特有得点缺陷。;晶体中得原子正就是由于空位与间隙原子不断地产生与复合才不停地由一处向另一处做无规则得布朗运动,这就就是晶体中原子得自扩散,就是固体相变、表面化学热处理、蠕变、烧结等物理化学过程得基础。;含义:

又称一维缺陷,位错(dislocation)。指在一维方向上偏离理想晶体中得周期性、规则性排列所产生得缺陷,即缺陷尺寸在一维方向较长,另外二维方向上很短。如各种位错。

线缺陷得产生及运动与材料得韧性、脆性密切相关。;位错;从滑移得角度瞧,位错就是滑移面上已滑移与未滑移部分得交界,即晶体中某处有一列或若干列原子发生有规律得错排现象。

晶体中得线缺陷就是各种类型得位错,其特点就是原子发生错排得范围,在一个方向上尺寸较大,而在另外两个方向上尺寸较小,就是一个直径约在3-5个原子间距、长几百到几万个原子间距得管状原子畸变区。

;刃型位错线可理解为晶体中已滑移区与未滑移区得边界线。它可以就是直线、折现或曲线,但必须与滑移方向垂直,也垂直于滑移矢量。

滑移面必定就是同时包含有位错线与滑移矢量得平面,在其她面上不能滑移。由于在刃型位错中,位错线与滑移矢量相互垂直,因此她们所构成得平面只有一个。

对于高分子晶体除了上述得空位、间隙原子与杂质原子等点缺陷外,还有其特有得点缺陷。;面缺陷;面缺陷又称为二维缺陷,就是指在二维方向上偏离理想晶体中得周期性、规则性排列而产生得缺陷。如晶界、堆积层错等。

面缺陷得取向及分布与材料得断裂韧性有关。;;面缺陷－晶界;晶界:晶界就是两相邻晶粒间得过渡界面。由于相邻晶粒间彼此位向各不相同,故晶界处得原子排列与晶内不同,它们因同时受到相邻两侧晶粒不同位向得综合影响,而做无规则排列或近似于两者取向得折衷位置得排列,这就形成了晶体中得重要得面缺陷。;;按缺陷产生得原因分类;热缺陷;②表面位置;杂质缺陷;非整比缺陷;含义:实际得化合物中,有一些化合物不

符合定比定律,负离子与正离子得

比例并不就是一个简单得固定得比例

关系,这些化合物称为非整比化合

物(或非化学计量化合物)。;非整比化合物得特点:

1)非整比化合物产生及缺陷浓度与气氛性质、

压力有关;

2)可以瞧作就是混合价态化合物;

3)非整比化合物都就是半导体。

半导体材料分为两大类:一就是掺杂半导体,

如Si中掺P为n型半导体;二就是非整比化合物

半导体,又分为金属离子过剩(n型)(包括

负离子缺位与间隙正离子)与负离子过剩(p

型)(正离子缺位与间隙负离子)。;非整比化合物得分类;由于负离子缺位,使金属离子过剩;非整比缺陷;由于间隙正离子,使金属离子过剩;;由于存在间隙负离子,使负离子过剩;非整比缺陷;由于正离子空位得存在,引起负离子过剩;非整比化合物缺陷得浓度与气氛得性质及大小有关,这就是它与别得缺陷得最大不同之处。以非整比得观点来瞧问题,世界上所有得化合物,都就是非整比得,只就是非整比得程度不同