模拟电子第五版康光华第五章场效应管放大电路.pptVIP

5.1.5MOSFET的主要参数第五章场效应管放大电路一、直流参数NMOS增强型1.开启电压VT（增强型参数）2.夹断电压VP（耗尽型参数）3.饱和漏电流IDSS（耗尽型参数）4.直流输入电阻RGS（109Ω～1015Ω）二、交流参数1.输出电阻rds当不考虑沟道调制效应时，?＝0，rds→∞5.1.5MOSFET的主要参数第五章场效应管放大电路二、交流参数2.低频互导gm考虑到则其中第五章场效应管放大电路极限参数最大漏极电流IDM最大耗散功率PDM最大漏源电压V（BR）DS最大栅源电压V（BR）GS5.1.5MOSFET的主要参数JFET的特性曲线及参数JFET的结构和工作原理JFET放大电路的小信号模型分析法第五章场效应管放大电路5.3结型场效应管第五章场效应管放大电路5.3.1JFET的结构和工作原理结构第五章场效应管放大电路5.3.1JFET的结构和工作原理2.工作原理（以N沟道JFET为例）（1）vGS对沟道的控制作用当vGS＜0时当沟道夹断时，对应的栅源电压vGS称为夹断电压VP（或VGS(off)）。对于N沟道的JFET，VP0。PN结反偏、耗尽层加厚、沟道变窄。vGS继续减小，沟道继续变窄。第五章场效应管放大电路5.3.1JFET的结构和工作原理2.工作原理（以N沟道JFET为例）（2）vDS对沟道的控制作用当vGS=0时，vDS??ID?G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。当vDS增加到使vGD=VP时，在紧靠漏极处出现预夹断。此时vDS??夹断区延长?沟道电阻??ID基本不变第五章场效应管放大电路5.3.1JFET的结构和工作原理综上分析可知工作原理（以N沟道JFET为例）沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，所以场效应管也称为单极型三极管。JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制。预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因此iG?0，输入电阻很高。第五章场效应管放大电路5.3.2JFET的特性曲线及参数2.转移特性1.输出特性输入标题电子技术基础输入标题输入标题输入标题第14讲2主讲：孙静模拟部分143第五章场效应管放大电路5.2.1MOSFET放大电路学习方法：与BJT的分析方法对照学习直流偏置及静态工作点的计算图解分析小信号模型分析5.2MOSFET放大电路*电气信息学院电工电子基础教研室*电气信息学院电工电子基础教研室*电气信息学院电工电子基础教研室*电气信息学院电工电子基础教研室*电气信息学院电工电子基础教研室*电气信息学院电工电子基础教研室*电气信息学院电工电子基础教研室*电气信息学院电工电子基础教研室*电气信息学院电工电子基础教研室*电气信息学院电工电子基础教研室*电气信息学院电工电子基础教研室电子技术基础主讲：孙静模拟部分第13讲第五章场效应管放大电路电气信息学院电工电子基础教研室15.1金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管25.2MOSFET放大电路35.5各种放大器件电路性能比较45.3结型场效应管（JFET）5.4砷化镓金属-半导体场效应管第五章场效应管放大电路学习指导通过改变外加电压产生的电场强度--控制其导电能力。场效应管：体积小、重量轻、耗电少、寿命长，还具有输入电阻高、热稳定性好、噪声低、便于集成等特点。在大规模集成电路中广泛应用。优点：根据结构不同,可分为结型场效应管(JFET)、绝缘栅型场效应管(IGFET)。分类：5.1金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管第五章场效应管放大电路01N沟道增强型MOSFET02MOSFET的主要参数03N沟道耗尽型MOSFET04P沟道MOSFET05沟道长度调制效应1.结构（N沟道）第五章场效应管放大电路5.1.1N沟道增强型MOSFETL：沟道长度W：沟道宽度tox：绝缘层厚度通常WL结构（N沟道）第五章场效应管放大电路5.1.1N沟道增强型MOSFET符号剖面图2.工作原理第五章场效应管放大电路5.1.1N沟道增强型MOS