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*************************************稳压二极管及其应用1工作原理稳压二极管利用PN结的反向击穿特性,在反向击穿区工作。当反向电压达到击穿电压(VZ)时,二极管两端电压保持相对恒定,不随电流变化而明显改变。2关键参数稳压值(VZ):稳压二极管的额定工作电压,常见值从2.4V到200V;温度系数:电压随温度变化的程度,可正可负;最大功耗:二极管能承受的最大功率;动态电阻:工作区的电压变化与电流变化比值。3典型应用简单的分流式稳压电路可为敏感电路提供稳定参考电压;过压保护电路可防止电压超过安全值;电平钳位电路可限制信号幅度在特定范围;电压基准源可为精密仪器提供稳定参考。三极管的工作原理基本结构三极管由三层不同掺杂类型的半导体构成,形成两个PN结。NPN型由N-P-N三层组成,PNP型由P-N-P三层组成。三个区域发射区(E)高度掺杂,提供载流子;基区(B)薄而轻度掺杂,控制载流子流动;集电区(C)中等掺杂,收集载流子。2工作模式放大模式:基极-发射极结正偏,基极-集电极结反偏;开关模式:截止(两结均反偏)或饱和(两结均正偏)。电流关系集电极电流近似等于发射极电流,基极电流很小。电流放大倍数β=IC/IB通常在50-300之间。三极管的基本放大电路共发射极电路最常用的放大电路配置,发射极对输入和输出信号公共。电压放大倍数高(AV=RC/re)输入阻抗中等(rin≈βre)输出阻抗中等(rout≈RC)输入输出存在180°相位反转功率放大能力强共集电极电路(射极跟随器)集电极对输入和输出信号公共,主要用作阻抗变换。电压增益略小于1输入阻抗很高(rin≈βRE)输出阻抗很低(rout≈re/β)输入输出同相,无相位反转适合驱动低阻抗负载共基极电路基极对输入和输出信号公共,主要用于高频放大。电压放大倍数高(AV=RC/re)输入阻抗很低(rin≈re)输出阻抗很高(rout→∞)输入输出同相,无相位反转高频特性优良场效应管(FET)简介基本结构场效应管是一种电压控制的半导体器件,通过电场控制载流子运动。与三极管不同,FET是单极型器件,电流仅由一种载流子(电子或空穴)构成,具有输入阻抗高、噪声低等特点。主要类型结型场效应管(JFET):利用反向偏置的PN结控制沟道宽度,包括N沟道和P沟道两种;绝缘栅场效应管(MOSFET):在栅极和沟道间加入绝缘层,又分为增强型和耗尽型。MOSFET是当今最广泛使用的半导体器件。关键参数跨导(gm):描述栅极电压变化对漏极电流的影响;栅源截止电压(VGS(off)):使漏极电流降至截止的栅源电压;最大漏极电流(IDSS):栅源电压为零时的漏极电流;漏极-源极击穿电压(BVDSS):器件能承受的最大漏源电压。集成运算放大器原理24基本结构运算放大器是一种高增益的直流耦合差分放大器,集成在单个芯片上。典型结构包括差分输入级、增益级和输出级。理想特性理想运放具有无限开环增益、无限输入阻抗、零输出阻抗、零共模增益和无限带宽等特性,实际运放则存在各种限制。负反馈原理负反馈将部分输出信号反馈到输入端,降低增益但改善稳定性、线性度和带宽,是运放应用的核心原理。实际限制实际运放存在输入失调电压、输入偏置电流、有限增益带宽积、摆率限制和输出摆幅限制等非理想特性。运放的基本应用电路运算放大器是模拟电路设计中最常用的器件之一,可实现多种功能电路。反相放大器的增益为AV=-Rf/Ri,输入信号经过180°相位反转;同相放大器的增益为AV=1+Rf/Ri,输入输出同相;电压跟随器(增益为1的同相放大器)提供高输入阻抗和低输出阻抗,用于阻抗匹配。运放还可实现多种信号处理功能:求和器可将多个输入信号线性相加;积分器将输入信号对时间积分;微分器产生与输入信号变化率成比例的输出;比较器在输入信号超过参考电压时产生数字跳变输出;对数和指数放大器实现非线性运算;精密整流器克服二极管的正向压降限制。滤波器设计基础低通滤波器允许低频信号通过,衰减高频信号。典型应用包括音频系统的低音通道、抗混叠滤波器和信号平滑处理。一阶RC低通滤波器的截止频率fc=1/(2πRC),在此频率下信号衰减3dB。高通滤波器允许高频信号通过,衰减低频信号。常用于去除信号中的直流分量和低频干扰,以及音频系统的高音通道。一阶RC高通滤波器的截止频率同样为fc=1/(2πRC)。带通滤波器允许特定频率范围内的信号通过,衰减此范围外的信号。广泛应用于通信系统的信道选择和音频均衡器。带通滤波器由高通和低通滤波器级联而
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