《等离子体屏蔽技术》课件.pptVIP

*************************************电感耦合等离子体（ICP）装置工作原理ICP通过变化磁场产生感应电场，使气体电离形成高密度低电子温度等离子体。线圈中的交变电流产生变化磁场，穿透介质窗口感应气体中的环形电场，加速电子形成高密度等离子体。结构特点典型ICP装置由真空腔室、射频激励线圈、介质窗口、基片支架和配套系统组成。线圈可为平面螺旋形或圆筒螺旋形，通常由中空铜管制成并水冷。介质窗口一般采用石英、氧化铝或氮化硅等材料。技术优势ICP能产生高密度(1011-1013cm?3)低压(1-10mTorr)等离子体，电子温度适中(2-5eV)。其关键优势是能够独立控制等离子体密度和离子能量，实现高速率、高选择性和低损伤加工。ICP原理电磁感应ICP的基本物理机制是电磁感应，线圈中交变电流产生交变磁场，根据法拉第电磁感应定律，磁场变化引起感应电场，形成环形电流加热等离子体。感应电场强度正比于射频功率和频率，典型工作频率为2MHz、13.56MHz或27.12MHz。电子加热感应电场主要加热电子而非离子，因为电子质量小、响应快。电子通过碰撞将能量传递给中性粒子和离子。在低压条件下，无碰撞加热机制（如随机加热和涡流加热）变得重要，使ICP能在极低压力(＜1mTorr)下高效运行。表皮效应随着功率增加，等离子体电子密度升高，电磁波穿透深度（表皮深度）减小，表现为表皮效应。表皮深度δ=c/√(2πfσ)，其中c为光速，f为频率，σ为电导率。表皮深度典型值为1-5cm，影响ICP的功率耦合效率和均匀性。ICP设备结构射频线圈ICP的核心组件，通常为水冷铜管盘绕而成的螺旋线圈，直径根据处理区域大小设计，从几厘米到几十厘米不等。为提高均匀性，大型设备可能采用多区域独立控制的线圈设计。介质窗口将线圈与等离子体隔离的介质材料，必须具有优良的介电性能、高热稳定性和化学稳定性。窗口厚度通常为5-10mm，材料选择需考虑工艺要求，如石英(SiO?)具有优异RF透过性但易被氟化学等离子体腐蚀，而氧化铝(Al?O?)耐腐蚀但热应力大。基片平台支撑和固定待处理基片的平台，通常配备温度控制系统和静电卡盘。在许多应用中，基片平台连接独立的射频电源提供偏置电压，用于控制离子轰击能量，实现工艺参数的独立调控。辅助系统包括真空系统（通常由机械泵和分子泵/涡轮泵组成）、气体输送系统（包括质量流量控制器和气体纯化装置）、冷却系统和自动化控制系统等。高端设备还配备多种传感器和诊断工具，实时监测等离子体状态和工艺参数。电子回旋共振（ECR）等离子体源工作原理电子回旋共振等离子体源利用微波能量和静态磁场的协同作用产生高密度等离子体。当微波频率与电子在磁场中的回旋频率相匹配时，电子能持续从微波场吸收能量，实现高效电离。典型的ECR频率为2.45GHz（对应共振磁场强度为875高斯）。结构组成ECR系统主要由微波源（磁控管或固态发生器）、波导传输系统、共振腔、磁场系统（永磁体或电磁铁）和等离子体扩散室组成。磁场通常采用特定构型（如最小B场构型），形成磁镜或磁瓶结构以提高等离子体约束效率。应用优势ECR等离子体源能在极低压力（0.1-10毫托）下产生高密度（1011-1012cm?3）等离子体，电子温度适中（3-10eV）且能独立控制，产生的等离子体具有高活性和低损伤特点。特别适用于精密薄膜沉积、低损伤刻蚀和特种材料处理。ECR原理电子回旋运动电子在磁场中做螺旋运动，回旋频率ωc=eB/m微波注入引入频率为ω的微波电磁场共振条件当ω=ωc时，电子持续吸收能量电离过程高能电子碰撞气体分子产生等离子体4磁场约束磁镜结构约束等离子体提高密度电子回旋共振是电子与电磁波在特定磁场强度下的共振相互作用。在ECR等离子体源中，电子在静磁场中以回旋频率ωc=eB/m运动，当引入频率为ω的微波且满足ω=ωc时，电子能连续从电磁波吸收能量，其能量呈螺旋式上升，最终获得足够能量电离气体。ECR过程中，德拜屏蔽效应影响微波在等离子体中的传播特性。微波只能传播至临界密度nc=ε?mω2/e2，对2.45GHz微波，临界密度约为7.4×101?cm?3。然而，实际ECR等离子体可突破这一限制，通过上转换(upperhybridresonance)和静电波转化等机制实现超临界密度。ECR设备结构微波源产生2.45GHz或2.8GHz微波磁场系统产生875高斯共振磁场共振腔微波能量转化为等离子体扩散室等离子体扩散至处理区域ECR设备由多个关键部件组成。微波源通常采用磁控管或固态源，功率范围从几百瓦到几千瓦