《电子元件概述》课件.pptVIP

*************************************半导体特性导电特性半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，其电导率随温度升高而增加，与金属相反。掺杂可以显著改变半导体的导电特性，形成N型或P型半导体。1PN结特性PN结是半导体器件的基础，具有单向导电性。正向偏置时电流随电压指数增长；反向偏置时只有微小漏电流，但到达击穿电压后电流急剧增大。2温度特性半导体的特性对温度非常敏感。温度升高会降低PN结的导通电压，增加漏电流，并改变晶体管的增益。这一特性既可能是问题，也可用于制作温度传感器。3频率特性半导体器件有其工作频率限制，主要受结电容和少数载流子寿命影响。高频应用需要特殊设计的半导体器件，如肖特基二极管和高频晶体管。4噪声特性半导体器件产生多种噪声，包括热噪声、散粒噪声和闪烁噪声。这些噪声会限制放大器和传感器的性能，特别是在微弱信号处理场合。5温度特性电阻器温度特性不同类型的电阻器温度系数各异：金属膜电阻约±25~100ppm/℃；碳膜电阻约±200~500ppm/℃；线绕电阻约±20~100ppm/℃。特殊应用可使用正温度系数(PTC)或负温度系数(NTC)热敏电阻，温度系数可达±3000ppm/℃以上。电容器温度特性电容温度特性通常用温度系数(TC)或温度特性代码(如X7R、Y5V等)表示。X7R陶瓷电容在-55~125℃范围内容值变化±15%；Y5V类型在-30~85℃范围变化可达+22%/-82%；薄膜电容较稳定，MLCC电容温度特性取决于介质材料。半导体温度特性半导体对温度极为敏感：硅二极管正向压降温度系数约-2mV/℃；BJT三极管的β值随温度升高而增大；MOS管阈值电压随温度升高而减小。这些特性在设计中既是挑战也是机会，例如可用于设计温度传感器和温度补偿电路。温度补偿技术为克服温度影响，可采用多种补偿技术：使用低温度系数元件；加入具有互补温度特性的元件抵消温度影响；采用恒温腔体；利用反馈电路进行动态补偿。精密仪器和参考电路中温度补偿尤为重要。频率特性1元件的频率响应电子元件在不同频率下表现不同。理想元件具有频率无关的特性，但实际元件都存在寄生效应，导致其在高频下行为发生变化。例如，电阻在高频下表现出电感特性；电容在高频下可能表现为电感；电感在高频下因分布电容而表现为电容特性。2寄生参数实际元件的频率特性受寄生参数影响。电阻具有寄生电感和电容；电容具有等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL)；电感具有分布电容和直流电阻(DCR)。这些寄生参数在低频可忽略，但在高频会显著影响元件性能。3自谐振频率电感和电容都存在自谐振频率(SRF)，此频率由元件本身和其寄生参数决定。超过SRF后，电容表现为电感，电感表现为电容。高频电路设计中，必须选择SRF高于工作频率的元件，否则电路性能会严重偏离预期。4趋肤效应高频电流倾向于流过导体表面，这就是趋肤效应。随着频率升高，有效导电截面减小，导致电阻增加。趋肤深度与频率成反比，例如铜在1MHz时趋肤深度约66μm，100MHz时约6.6μm。高频电路需要特殊设计的导体来减轻此效应。可靠性失效机制电子元件的失效机制多种多样：电阻器可能因过载烧毁或长期使用阻值漂移；电容器可能因击穿、漏电增加或ESR上升而失效；半导体器件可能因静电放电、热循环或金属迁移等问题失效。了解这些机制是提高可靠性设计的基础。寿命预测元件寿命通常遵循浴盆曲线，包括早期失效期、正常使用期和耗损失效期。通过加速老化试验可以预测元件在正常条件下的使用寿命。阿伦尼乌斯方程常用于建立温度与寿命的关系模型，温度每升高10℃，寿命通常减半。可靠性指标常用的可靠性指标包括MTBF(平均无故障时间)、MTTF(平均失效时间)、故障率(FIT，每10亿小时的故障数)等。高质量元件的FIT值可低至个位数，而普通元件可能达到数百。军用和航空航天领域对可靠性要求极高。提高可靠性的方法提高系统可靠性的方法包括：选用高质量元件；进行充分的降额设计(例如电压降额50%，功率降额70%)；采用冗余设计；改善散热条件；防护环境影响(湿度、温度、振动等)；实施严格的质量控制和筛选测试。第四部分：电子元件的选择与使用选择原则基于电路需求确定关键参数1参数理解深入解读数据手册信息2应用考量考虑实际使用环境与条件3测试验证确保元件性能符合预期4故障处理分析诊断常见问题5电子元件的选择与使用是电子设计中的关键环节，直接影响产品的性能、可靠性和成本。合理选择元件需要综合考虑电气参数、机械特性、环境适应性、可靠性、供应链和成本等多方面因素。