《电力电子开关》课件.pptVIP

*************************************光耦隔离驱动电路工作原理光耦隔离驱动利用发光二极管(LED)和光敏器件(光电晶体管或光电IC)实现电气隔离。输入侧的控制信号驱动LED发光，光敏器件接收光信号并转换为电信号，驱动输出侧电路。这种隔离方式依靠光信号传递，不存在电气连接，可提供高达数千伏的隔离耐压，有效阻隔高频共模干扰。特点与应用光耦隔离驱动的优点包括结构简单、成本适中、隔离性能好、抗干扰能力强。但也存在传输延时较长、温度漂移显著等缺点，且老化会导致特性变化。光耦驱动广泛应用于中低频(≤50kHz)IGBT驱动场合，如变频器、UPS和电焊机等。对于高频应用，需选用高速光耦或其他隔离技术。变压器隔离驱动电路脉冲变压器原理脉冲变压器隔离驱动利用磁耦合传递脉冲信号，实现控制信号与功率电路之间的电气隔离。变压器初级绕组连接控制电路，次级绕组连接开关器件的控制端。传输特性脉冲变压器只能传输交变信号，不能传输直流信号。这意味着它适合传输开关脉冲，但无法维持持续的导通状态。对于需要持续栅极电压的MOSFET或IGBT，需要在次级侧设计特殊电路保持栅极电压。应用场景变压器隔离驱动具有体积小、延时短、频率响应好的优点，特别适合高频应用。它广泛用于高频DC-DC变换器、谐振变换器和射频功率放大器等场合，特别是在晶闸管和GTO等脉冲触发器件的驱动中表现出色。自举驱动技术基本原理自举驱动技术针对高边MOSFET/IGBT驱动的需求而设计。高边开关的源极/发射极电位随开关状态变化，无法使用固定电源驱动。自举技术利用一个电容作为浮动电源，为高边栅极提供驱动电压。工作过程当低边开关导通时，自举电容通过自举二极管充电至电源电压；当低边关断、高边开通时，自举电容连接到高边栅极驱动电路，提供浮动电源。电容的电压必须足够维持整个导通周期的驱动需求。设计考量自举电容的选择需考虑栅极电荷、漏电电流和工作周期限制。自举二极管必须是快恢复型，以减少反向恢复电荷。同时，电路设计需考虑最大占空比限制和最小导通时间要求，确保电容有足够时间充电。应用场景自举驱动技术因其简单、成本低的特点，在半桥和全桥电路中得到广泛应用。许多集成驱动IC内置自举功能，简化了外部电路设计。适用于电机驱动、逆变器、开关电源等需要高边驱动的场合。智能功率模块（IPM）驱动智能功率模块(IPM)集成了功率开关器件(IGBT/MOSFET)、驱动电路、保护电路和控制接口于一体，实现了功率转换系统的高度集成。现代IPM还可能包含温度传感器、电流传感器和短路保护等功能，大幅简化了系统设计。IPM驱动的特点是接口简单、可靠性高。用户只需提供低电平控制信号和电源即可实现复杂功率控制，无需设计复杂的驱动电路。IPM广泛应用于家用电器(变频空调、冰箱)、工业控制和电动工具等领域，特别适合中小功率系统。最新IPM正朝着更高集成度、更多功能和更小封装方向发展。电力电子开关的保护技术过流保护监测和限制流经开关的电流，防止超过额定值导致器件损坏。包括快速电流检测和即时关断或限流措施，是最基本的保护功能。1过压保护防止开关承受超过额定值的电压，通常使用钳位电路或吸收网络吸收能量。对抑制开关瞬态过程中的电压尖峰尤为重要。2温度保护实时监测芯片温度，当温度超过安全阈值时触发关断或降额运行。防止热失控导致的永久性损坏，延长器件寿命。3短路保护检测短路状态并迅速安全关断开关。短路条件下器件同时承受高电压和高电流，是最危险的故障模式，需特别关注。4过流保护方法分流电阻检测使用精密低电阻分流电阻串联在电流通路中，测量其两端电压确定电流值。这种方法精度高、响应快，但会增加功率损耗，且破坏电路隔离性。适用于要求精确电流控制的场合，如精密电机驱动。霍尔电流传感利用霍尔效应无接触测量电流，提供完全电气隔离。霍尔传感器可测量直流和交流电流，精度中等，频带宽度适中。广泛应用于变频器、UPS等需要隔离测量的场合，是工业电力电子设备的常用选择。电流镜和去饱和检测许多功率器件内部集成电流镜结构，提供与主电流成比例的小电流用于检测。IGBT的去饱和检测则通过监测集电极-发射极电压判断过流或短路状态。这些方法响应极快，特别适合短路保护，现代IGBT模块和IPM广泛采用。过压保护电路吸收电路(Snubber)吸收电路是最传统的过压保护方法，主要包括RCD吸收电路和RC吸收电路两种。RCD吸收电路由电阻、电容和二极管组成，并联在开关两端，用于抑制开通和关断过程中的电压尖峰。RC吸收电路主要用于抑制振荡和dv/dt，适用于晶闸管等对dv/dt敏感的器件。吸收电路设