模拟电路第三章-放大电路的基本原理和分析方法.pptVIP

3.2.1二极管的伏安特性当U＞0即处于正向特性区域。当0＜U＜Uth时，正向电流为零，Uth称为死区电压或开启电压。当U＞Uth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。硅二极管的死区电压Uth=0.5V左右，正向区又分为两段：锗二极管的死区电压Uth=0.1V左右。1、正向特性2、反向特性和击穿特性当U＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域：当U≥UBR时，反向电流急剧增加，UBR称为反向击穿电压。由于击穿破坏了ＰＮ结的单向导电特性,因而一般使用时应避免出现击穿现象。当UBR＜U＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。发生击穿并不一定意味着ＰＮ结被损坏。当PN结反向击穿时,只要注意控制反向电流的数值(一般通过串接电阻Ｒ实现),不使其过大,以免因过热而烧坏ＰＮ结,当反向电压(绝对值)降低时,ＰＮ结的性能就可以恢复正常。在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。3、伏安特性的数学表示式中IS为反向饱和电流，U为二极管两端的电压降，UT=kT/q称为温度的电压当量，k为玻耳兹曼常数，q为电子电荷量，T为热力学温度。对于室温（相当T=300K），则有UT=26mV。半导体二极管的伏安特性曲线如图3.9所示。处于第一象限的是正向伏安特性曲线，处于第三象限的是反向伏安特性曲线。根据理论推导，二极管的伏安特性曲线可用下式表示(1.1)图3.9二极管的伏安特性曲线uD0时PN结正向偏置，uD0时PN结反向偏置，当温度一定时，反向饱和电流是个常数IS。01024、二极管的主要参数半导体二极管的主要参数包括最大整流电流IF、反向击穿电压UBR、最高反向工作电压UR、反向电流IR、最高工作频率fM和结电容Cj等。几个主要的参数介绍如下：(1)最大整流电流IF——二极管长期连续工作时，允许通过的最大正向平均电流。工作时应使平均工作电流小于ＩＦ,如超过ＩＦ,二极管将过热而烧毁。此值取决于ＰＮ结的结面积、材料和散热情况。(2)反向击穿电压UBR———和最大反向工作电压UR二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压UBR。为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压UR一般只按反向击穿电压UBR的一半计算。******第3章半导体二极管及其基本应用电路3.1半导体基础知识3.2半导体二极管及其基本应用电路3.3稳压二极管及其基本应用电路3.1半导体的基础知识3.1.1本征半导体与杂质半导体3.1.2PN结导体：低价元素，如铜、铁、铝等金属，最外层电子受原子核的束缚力很小，极易形成自由电子。在外电场作用下,这些电子产生定向运动(称为漂移运动)形成电流,具有较好的导电特性。绝缘体：高价元素(如惰性气体)和高分子物质(如橡胶,塑料)最外层电子受原子核的束缚力很强，不易形成自由电子，导电性极差。半导体：导电特性介于导体和绝缘体之间。半导体的电阻率为10-3～109??cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。物质按导电性能的分类：3.1半导体基础知识物质的导电特性取决于原子结构，最外层电子受原子核的束缚力的大小来判断该物质的导电性。3.1.1本征半导体与杂质半导体1、本征半导体(2)电子空穴对(1)本征半导体的共价键结构(3)空穴的移动A纯净晶体结构的半导体称为本征半导体。B材料：硅和锗（均为四价元素，在原子结构中最外层轨道上有四个价电子。）(1）本征半导体的共价键结构图3.1硅原子空间排列及共价键结构平面示意图(a)硅晶体的空间排列(b)共价键结构平面示意图把硅或锗材料拉制成单晶体时,相邻两个原子的一对最外层电子(价电子)成为共有电子,它们一方面围绕自身的原子核运动,另一方面又出现在相邻原子所属的轨道上。即价电子不仅受到自身原子核的作用,同时还受到相邻原子核的吸引。于是,两个相邻的原子共有一对价电子,组成共价键结构。故晶体中,每个原子都和周围的４个原子用共价键的形式互相紧密地联系起来,这种结构的立体和平面示意图见图3.1。(c)当导体处于热力学温度0K时，导体中没有自由电子