硅基光子学国内外研究现状及发展趋势.pdf

专题报告-1

硅基光电子学（光子学）研究概况

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2007年6月

硅基光电子学研究概况

编者按：本文介绍了硅基光电子技术的研究现状、重点研究方向、技术难点以及国内外主要研究机构

的基本情况。希望能为我所学科布局的发展提供一些参考。

一、技术概述

硅基半导体是现代微电子产业的基石，但其发展已接近极限。而光电子技术则正处在高

速发展阶段，现在的半导体发光器件多利用化合物材料制备，与硅微电子工艺不兼容，因此，

将光子技术和微电子技术集合起来，发展硅基光电子科学和技术意义重大。近年来，硅基光

电子的研究在国内外不断取得引人注目的重要突破，世界各发达国家都把硅基光电子作为长

远发展目标。

硅基光电子学包括硅基光子材料、硅基光子器件和硅基光子集成三个主要方面。分别介

绍如下：

1.硅基光子材料

（1）硅基纳米发光材料

目前的研究重点是如何有效地控制硅纳米晶粒的尺寸和密度，以形成具有小尺寸和高密

度的有序纳米结构。制备方法有：通过独立控制固体表面上的成核位置和成核过程实现自组

织生长；在掩蔽图形衬底上的纳米结构生长；扫描探针显微术的表面纳米加工；全息光刻技

术的纳米图形制备以及激光定域晶化的有序纳米阵列形成等。

（2）硅基光子晶体

光子晶体具有合成的微结构、周期性变化的折射率以及与半导体潜在电子带隙相近的光

子带隙。根据能隙空间分布的特点，可以将其分为一维、二维和三维光子晶体。光子晶体的

实际应用是人们所关注的焦点，而与成熟的硅工艺相结合是人们非常看好的方向，可出现全

硅基光电子器件和全硅基光子器件，因此制备硅基光子晶体及其应用将是以后的研究重点。

在所有光子晶体制备方法中，运用多光束干涉的全息光刻法有着许多优点：通过照射过程能

够制成大体积一致的周期性结构，并能自由控制结构多次。通过控制光强、偏振方向和相位

延迟，制成不同的结构。

2.硅基光子器件

（1）硅基发光二极管

作为硅基光电子集成中的光源，硅基发光二极管（Si-LED）的实现是硅基光电子学研究

中的一个主攻方向。目前的研究重点有：如何采用适宜的有源区材料，实现其高效率和高稳

定度的发光；从器件实用化角度考虑，如何实现Si-LED在室温下的电致发光。研究人员已

尝试了三种硅基纳米材料用于高效率Si-LED的制作，即硅纳米量子点，高纯体单晶硅和掺

Er3+的硅纳米晶粒。目前报道最好的结果是韩国科学家研究的由镶嵌在SiNx膜层中的硅纳

米量子点所制成的电致发光LED，室温下的外量子效率可高达1.6%。

（2）硅基激光器

目前，人们已初步提出了三种能产生光增益或受激辐射的增益介质材料，即具有高密度

和小尺寸的有序硅纳米晶粒，基于内子带跃迁的硅/锗量子级联结构和具有受激喇曼散射特

性的绝缘硅（SOI，Silicon-On-Insulator）光波导结构。2005年2月17日的《Nature》杂志

上报道了Intel公司利用喇曼效应研制出了世界上第一台连续光全硅激光器。

（3）硅基光探测器

硅基光探测器是硅基光电子集成中的光信号接收器件，它应具有良好的光响应特性，较

高的探测灵敏度，小的暗电流和宽频带等优点。由麻省工学院材料科学与工程系研制的

Ge-PIN光探测器，在1310nm、1550nm、1620nm波长的响应率分别为：600mA/W、520mA/W、

100mA/W。该探测器能够覆盖光通信整个Cband和大部分Lband范围，具有2.5GHz的3dB

带宽，在1310nm和1550nm的性能能够和目前用于通信的商用铟镓砷（InGaAs）探测器相

比拟。

（4）硅基光调制器

光调制器是利用材料折射率的变化，对传输光的相位和波长进行调制的光波导器件。由

于硅材料不具有线性光电效应，所以一般硅基光调制器和光开关是基于硅的热光效应和等离

子色散效应而设计的。2004年2月，Intel率先在享有很高声誉的《Nature》科学杂志上宣

布他们研制成功了Gbit/s的硅光调制器。仅过了一年，Intel的研究员证实他们的光调制器的

传送速率已经达到10Gbit/s。

3.硅基光子学集成

虽然目前还没有研制出硅光电子集成芯片，但研究人员已提出了两种可供参考的集成方

案：光电混合集成和单芯片集成。但硅基光子集成工艺却有着