宽带隙材料表界面性质的光学调控技术及应用的深度剖析与展望.docx

宽带隙材料表界面性质的光学调控技术及应用的深度剖析与展望

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的进程中，宽带隙材料凭借其独特的物理性质，在众多关键领域发挥着举足轻重的作用，已然成为推动科技进步的核心要素之一。宽带隙材料，通常是指禁带宽度大于2eV的半导体材料，如氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）、氮化铝（AlN）等。这些材料具备一系列优异的特性，为现代科技发展提供了强大的支持。

宽带隙材料具有高击穿电场强度的特点。以氮化镓为例，其击穿电场强度约为硅的10倍，这使得基于氮化镓的功率器件能够在高电压环境下稳定运行，有效降低了导通电阻，提高了功率转换效率