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第四章核磁共振氢谱核磁共振氢谱是现代有机化学研究的重要工具。通过精确测量氢原子在磁场中的行为，我们能获得分子结构的详细信息。本章将介绍氢谱的基本原理、参数解析及应用技巧，帮助你掌握这一强大的分析方法。by

课程概述基本原理核磁共振氢谱的物理基础与核自旋理论主要参数化学位移、偶合常数及其物理意义谱图解析从谱图到分子结构的系统分析方法本课程将系统介绍氢谱分析的基础知识与实用技巧。通过理论学习与实例解析，你将掌握这一强大的结构分析工具。

核磁共振氢谱简介定义核磁共振氢谱是研究氢核在磁场中吸收特定射频辐射的技术。它利用氢原子的核自旋特性，提供分子结构信息。重要性氢谱是最敏感的核磁共振技术，样品需求量小。可提供分子中氢原子的化学环境和空间关系。应用领域广泛应用于有机合成、天然产物、药物研发和材料科学。是结构确证的必备工具之一。

核磁共振氢谱的基本原理核自旋氢原子核（质子）具有自旋属性，产生微小磁矩。自旋量子数I=1/2，有两种自旋状态。α态（平行于外场）β态（反平行于外场）磁矩自旋产生的磁矩与外磁场相互作用。磁矩大小决定了核磁共振信号的强度。外磁场作用外磁场使核自旋能级分裂。能级差与外磁场强度成正比。这种分裂是核磁共振现象的基础。

核磁共振现象能级分裂外磁场作用下，氢核的能级分裂为两个状态。α态（低能）和β态（高能）能量差正比于磁场强度。玻尔兹曼分布两个能级的核数量比遵循玻尔兹曼分布。低能级核数略多，导致宏观磁化矢量。共振条件当射频辐射能量等于能级差时，发生共振。共振频率（拉莫尔频率）取决于核的种类和环境。

化学位移定义化学位移是质子共振频率相对于参考物的相对位置。反映了质子周围的电子环境。单位以ppm（百万分之一）为单位。独立于仪器的磁场强度。电子屏蔽周围电子产生感应磁场，抵消外磁场。屏蔽增强，化学位移值减小。去屏蔽效应吸电子基团减弱屏蔽效应。导致化学位移向高场移动。

化学位移尺度TMS参考物四甲基硅烷(TMS)作为标准参考物。化学惰性单一尖锐氢谱峰大多数有机化合物谱峰在其低场易挥发，可回收δ值计算δ=(样品频率-TMS频率)÷仪器频率×10^6单位为ppm（百万分之一）。优点：归一化处理，不同磁场强度下可比较。谱图范围有机化合物的氢谱通常在0-14ppm范围内。大多数烷氢出现在高场区（0-5ppm）。不饱和基团氢出现在低场区（5-14ppm）。

影响化学位移的因素（一）电子密度核周围电子密度越高，屏蔽效应越强。化学位移值越小，峰位越靠近TMS。诱导效应吸电子基团降低电子密度，导致去屏蔽。使化学位移向低场移动（δ值增大）。电负性效应与电负性原子相连的氢原子显示较大化学位移。效应强度：FON,ClBrI距离效应随着与吸电子基团距离增加，影响逐渐减弱。通常遵循1/r3规律。

影响化学位移的因素（二）共轭效应π电子云对质子产生去屏蔽效应环电流效应芳香环中的环电流导致明显去屏蔽氢键效应形成氢键使质子去屏蔽，化学位移增大磁各向异性某些基团产生局部磁场，影响周围质子共轭系统中的氢原子往往有较大的化学位移。芳香环引起的环电流效应尤为显著，使苯环质子的δ值约为7.3。氢键形成会显著增大活泼氢（如-OH、-NH）的化学位移，且随浓度和温度变化。

影响化学位移的因素（三）溶剂效应不同溶剂对化学位移有显著影响。极性溶剂通常导致低场位移芳香族溶剂产生环电流效应氢键溶剂影响活泼氢位移溶剂谱峰需作为参考识别浓度效应样品浓度变化可能影响化学位移。尤其影响活泼氢（-OH,-NH）浓度增加，分子间相互作用增强氢键程度改变，位移变化明显定量分析时需控制浓度一致温度效应温度变化影响分子运动和相互作用。温度升高，氢键减弱活泼氢峰位向高场移动可用于区分交换性氢可研究分子构象变化

常见官能团的化学位移范围（一）官能团化学位移范围(ppm)特征烷烃(-CH?)0.7-1.2高场吸收，窄峰烷烃(-CH?-)1.2-1.5略低场于甲基烷烃(CH-)1.4-1.8最低场烷氢烯烃(=CH?)4.5-5.0低场、常见裂分烯烃(-CH=)5.0-5.7顺反异构体可区分

常见官能团的化学位移范围（二）6.5-8.5芳香族氢苯环上的氢原子，受环电流影响9.5-10醛基氢羰基的强去屏蔽效应导致极低场2.0-2.6羰基α位氢受羰基影响，中等低场位移7.2-7.8苯环邻位氢受取代基影响明显芳香环上氢的位移受取代基影响。吸电子基团使邻位氢向低场移动，给电子基团则相反。羰基氢因极度去屏蔽，具有特征性的低场吸收，易于识别。

常见官能团的化学位移范围（三）醇羟基氢(-OH)δ=0.5-5.0ppm，受氢键影响大醇α位氢(-CH-OH)δ=3.2-4.0ppm，受羟基去屏蔽酚羟基氢(Ar-OH)δ=4.5-7.7ppm，受芳环影响羧酸氢(-COOH)