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《电力电子技术基础》试卷
单项选择题（将正确答案填在题干后面的括号内，共10分）
1、普通二极管和快速（快恢复）二极管在开关频率上的不同，主要是体现在哪个参数上的差异：………………()
2、晶闸管被触发从断态转入通态就除去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流称为：……………………()
A.通态平均电流B.浪涌电流C.维持电流D.擎住电流
3、电压型逆变器中间直流环节贮能元件是……()
4、不可在第一和第四象限工作的变流电路是…………………()
5、为了保护电力电子装置，需要在装置中加上必要的过流保护措施，以下选项中不是常用的过流保护措施有……………()
A、快速熔断器B、过电流继电器
C、集－射极电压识别电路D、RC吸收电路
6、若SPWM逆变器的输出频率变化范围很宽，PWM波的调制方式应采用()
A、异步调制B、同步调制C、分段同步调制D、分段异步调制
7、电流型逆变器输出电流波形是……………()
A、三角波B、正弦波C、矩形波D、梯形波
8、单相半控桥式整流大电感负载电路中，为了避免出现一个晶闸管一直导通，另两个整流二极管交替换相导通的失控现象发生，采取的措施是在负载两端并联一个………………()
A、电容B、电感C、电阻D、二极管
9、电压型三相桥式逆变电路，当采用纵向换流时，每个开关管一个周期导通多少度………………()
A、60oB、120oC、180oD、240o
10、以下的换流方式，哪个不是晶闸管的换流方式…………()
A、电源换流B、负载换流
C、强迫换流D、器件换流
二、判断题（正确打√，错误打×，共10分）
11、GTR一次击穿后，若集电极电流不超过与最大允许耗散功率相对应的限制，GTR不会损坏。……………()
12、电力MOSFET一般工作在开关状态，即在截止区和饱和区之间来回转换。
………………()
13、对于IGBT，如果集电极电流过大，栅极将失去对集电极电流的控制作用，这种现象称为动态擎住效应。……………()
14、三相全控整流电路输出电压是电源相电压的一部分。…()
15、可控整流电路，当控制角增大时，功率因数也随之增大。……………()
16、凡是负载电流波形超前负载电压即容性负载都可以实现负载换流。…()
17、交流调功电路和相控交流调压电路的电路形式完全相同，只是控制方式不同。
……………()
18、逆变电路的多重化除了用于调压外，另一个主要的目的是消除输出的高次谐波。…………()
19、交交变频电路可运行于整流和逆变状态，用于电动机调速可以很容易实现四象限运行。…………………()
20、由三角波和正弦波的自然交点产生SPWM波形，这种方法称为规则采样法。
……………()
填空题（共24分，每空1.5分）
21、图1所示为晶闸管的串联电路，晶闸管串联时要采用措施，图1中的两个RP的作用是
；两个R、C串联的作用是。
22、图2所示为电路，若输入电压为10V，开关S的开关周期为10mS，一个周期导通时间为5mS，在电流连续、理想的工作情况下，输出电压为V。
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