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阻变存储器概述

阻变存储器〔RRAM〕是利用脉冲电压对存储单元进展写入和消退，进而导致记忆单元电阻转变，这就是电脉冲诱使阻变效应。

电阻转换现象

利用一些薄膜材料在电鼓励条件下薄膜电阻在不同电阻状态〔高阻态〔HRS〕、低阻态〔LRS〕〕之间的相互转换来实现数据存储。依据电阻转换所需外加电压极性的不同，RRAM器件的电阻转变特性可以分为两种切换模式：单极转换和双极转换。从HRS到LRS的转换被称为“SET”过程。相反，从LRS到HRS的转换被称为“RESET”过程。单极转换是指器件在凹凸组态之间转变时外加电压极性一样。假设器件能在任意极性的电压实现凹凸阻态的转变，它被称作