专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》试卷答案.docx

8.以下电路不能能使用半边电路法计算差模增益〔〕。〔2分〕

专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》

一、〔共75题,共150分〕

GordonMoore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每〔〕个月翻一番〔2分〕

A.12 B.18 C.20 D.24

.标准答案：B

MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的〔〕效应产生的。〔2分〕

体 B.衬偏 C.沟长调制 D.亚阈值导通

.标准答案：C

在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在〔〕区。〔2分〕

亚阈值区 B.深三极管区C.三极管区 D.饱和区

.标准答案：D

MOS管一旦消灭〔〕现象，此时的MOS管将进入饱和区。〔2分〕

夹断 B.反型 C.导电 D.耗尽

.标准答案：A

〔〕表征了MOS器件的灵敏度。〔2分〕

A.

B.

C.

D.

.标准答案：C

Cascode放大器中两个一样的NMOS管具有不一样的〔〕。〔2分〕

A.

B.

C.

D.

.标准答案：B

根本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是〔〕。〔2分〕

.标准答案：C

.标准答案：C

镜像电流源一般要求一样的〔〕。〔2分〕

A.制造工艺 B.器件宽长比C.器件宽度W D.器件长度L

.标准答案：D

某一恒流源电流镜如下图。无视M3的体效应。要使和 严格相等，

应取为〔〕。 〔2分〕

A.

B.

C.

D.

.标准答案：A

选择题:以下构造中密勒效应最大的是〔〕。〔2分〕

A.共源级放大器 B.源级跟随器

C.共栅级放大器 D.共源共栅级放大器

.标准答案：A

以下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为抱负放大器。请计算该

电路的等效输入电阻为〔〕。 〔2分〕

A.

B.

C.

D.

.标准答案：A

对电路进展直流工作点分析的Hspice命令是〔〕。〔2分〕

A.DC B.AC C.OP D.IC

.标准答案：C

模拟集成电路设计中的第一步是〔〕。〔2分〕

A.电路设计 B.幅员设计

C.规格定义 D.电路构造选择

.标准答案：C

〔〕可提高图中放大器的增益。

〔2分〕

，减小

，增大

，减小

，增大

.标准答案：A

模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是〔〕。〔2分〕

A.增益 B.输出电阻 C.输出摆幅 D.输入电阻

.标准答案：C

模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是〔〕。〔2分〕

A.增益 B.电压净空 C.输出摆幅 D.输入偏置

.标准答案：A

在NMOS中，假设 会使阈值电压〔〕〔2分〕

A.增大 B.不变 C.减小 D.可大可小

.标准答案：A

NMOS管中，假设VB变得更负，则耗尽层〔〕。〔2分〕

A.不变 B.变得更窄 C.变得更宽 D.几乎不变

.标准答案：C

随着微电子工艺水平提高,特征尺寸不断减小,这时电路的工作电压会〔〕〔2分〕

A.不断提高 B.不变 C.可大可小 D.不断降低

.标准答案：D

MOS管漏电流的变化量除以栅源电压的变化量是〔〕。〔2分〕

A.电导 B.电阻 C.跨导 D.跨阻

.标准答案：C

工作在饱和区的MOS管，可以被看作是一个〔〕。〔2分〕

A.恒压源 B.电压掌握电流源

C.恒流源 D.电流掌握电压源

.标准答案：B

密勒效应最明显的放大器是〔〕。〔2分〕

A.共源极放大器 B.源极跟随器

C.共栅极放大器 D.共基极放大器

.标准答案：A

不能直接工作的共源极放大器是〔〕共源极放大器。〔2分〕

A.电阻负载 B.二极管连接负载

C.电流源负载 D.二极管和电流源并联负载

.标准答案：C

模拟集成电路设计中的最终一步是〔〕。〔2分〕

A.电路设计 B.幅员设计

C.规格定义 D.电路构造选择

.标准答案：B

在当今的集成电路制造工艺中，〔〕工艺制造的IC在功耗方面具有最大的优势。〔2分〕

A.MOS BOS C.Bipolar D.BiCMOS

.标准答案：B

MOS器件小信号模型中的gmb是由MOS管的〔〕效应引起。〔2分〕

A.二级 B.衬偏 C.沟长调制 D.亚阈值导通

.标准答案：B

PMOS管的导电沟道中依靠〔〕导电。〔2分〕A.电子 B.空穴 C.正电荷 D.负电荷

.标准答案：B

当MOS管的宽长比是定值时，其跨导与漏源电流的关系曲线是〔〕。

BCD〔2分〕

A.见图 B.见图 C.见图 D.见图

.标准答案：D

A.亚阈值区 B.深三极管区C.三极管区 D.饱和区

.标准答案：B

35.以下图的共源共栅放大器中，选择适宜的偏置电压VB，让输入电压Vin从0逐

渐