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正向电压及氧化时间对ZAlSi12微弧氧化陶瓷层特性的影响--第1页
吕凯等：正向电压及氧化时间对ＺＡ１Ｓｉｌ２微弧氧化陶瓷层特性的影响４０８１
正向电压及氧化时间对ＺＡ１Ｓｉｌ２微弧氧化陶瓷层特性的影响
吕凯，刘向东，池波，张雅萍，张静，刘晓丽，乌迪
（内蒙古工业大学材料科学与工程学院，内蒙古呼和浩特０１００５１）
摘要：ＺＡ１Ｓｉ１２因为含ｓｉ量高，其微弧氧化过程不
２实验材料与方法
同于其它铸造铝合金。铸铝合金中ｓｉ的存在不利于在
其表面进行微弧氧化。因此，研究正向电压、氧化时间实验材料为ＺＡ１Ｓｉ１２铸造铝合金。试样尺寸为
对ＺＡ１Ｓｉ１２微弧氧化陶瓷层特性的影响规律，对于获得４０ｍｍ×２０ｍｍ×５ｍｍ。微弧氧化处理工艺过程为：砂纸
良好的陶瓷表面层有着重要的意义。研究了不同的正向打磨——超声波去油清洗——清水冲洗——微弧氧化
电压及氧化时间对ＺＡ１Ｓｉ１２微弧氧化陶瓷层厚度的影清水冲洗——干燥。使用ＷＨＤ一３０型多功能微弧氧
——
响规律，并对膜层进行了磨损试验。采用ＸＲＤ分析陶化装置进行处理，装置示意图如图１所示。电解液采用
瓷层的相组成。研究结果显示，电压为４４０Ｖ／１２０Ｖ时，硅酸钠＋氢氧化钠＋ＥＤＴＡ二钠体系，蒸馏水配制。电
陶瓷层性能最佳，膜层厚度达１６９ｇｍ。氧化时间为０～解液温度控制在２０￣４０℃。
４８ｍｉｎ时，膜层生长速度快，超过４８ｍｉｎ后，生长缓慢。
因此，适宜的氧化时间为４８ｍｉｎ。
关键词ＺＡ１Ｓｉ１２：；微弧氧化；正向电压；氧化时间
中图分类号：ＴＧ１７４．４文献标识码：Ａ
文章编号：１００１—９７３ｌ（２００７）增刊一４０８１－０３
１高压电源２控制器３冷却装置入水口
４不锈钢电解槽５Ｔ件６电解液７冷却装置出水口
１引言
图１微弧氧化系统结构示意图
微弧氧化作为一种新兴的材料表面改性和强化技Ｆｉｇ１Ｓｅｔｔｉｎｇｄｒａｗｉｎｇｏｆｍｉｃｒｏ—ｏｘｉｄａｔｉｏｎ
术，是在Ａ１、Ｍｇ、Ｔｉ等金属及其合金基体上通过高压采用ＨＣＣ一２５型电涡流测厚仪测量陶瓷层厚度；荷
电弧放电，使基体发生氧化并最终形成陶瓷层氧化膜的兰飞利浦ＡＰＤ一１０型全自动粉末衍射仪测试陶瓷层中相
处理工艺。由微弧氧化技术制得的试样表面为氧化铝陶的组成；ＭＭ—Ｗｌ型立式万能摩擦磨损试验机进行耐磨
瓷层１［】，不仅具有金属的强度和韧性，又兼有陶瓷材料性实验。
的耐磨性，耐腐蚀性以及耐高温性【２～Ｉ。获得的陶瓷层３实验结果与讨论
性能较阳极氧化更为优异【５】。其膜厚可达
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