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電力電子技術;1.1什麼是電力電子技術;1.1什麼是電力電子技術;1.1什麼是電力電子技術;1.1什麼是電力電子技術;1.1什麼是電力電子技術;1.1什麼是電力電子技術;1.2電力電子技術的發展史;1.2電力電子技術的發展史;1.2電力電子技術的發展史;1.2電力電子技術的發展史;1.2電力電子技術的發展史;1.3電力電子技術的應用;1.3電力電子技術的應用;1.3電力電子技術的應用;1.3電力電子技術的應用;1.3電力電子技術的應用;1.3電力電子技術的應用;1.3電力電子技術的應用;1.3電力電子技術的應用;1.4本教材的內容簡介;1.6.1電力電子器件驅動電路概述;;驅動電路還要提供控制電路與主電路之間的電氣隔離環節，一般採用光隔離或磁隔離。

?光隔離一般採用光耦合器

?磁隔離的元件通常是脈衝變壓器;按照驅動信號的性質，可分為電流驅動型和電壓驅動型。

驅動電路具體形式可以是分立元件的，但目前的趨勢是採用專用集成驅動電路。;1.6.2晶閘管的觸發電路;V1、V2構成脈衝放大環節。

脈衝變壓器TM和附屬電路構成脈衝输出环节。

?V1、V2導通時，通過脈衝變壓器向晶閘管的門極和陰極之間輸出觸發脈衝。;1.6.3典型全控型器件的驅動電路;;為快速建立驅動電壓，要求驅動電路輸出電阻小。

使MOSFET開通的驅動電壓一般10~15V，使IGBT開通的驅動電壓一般15~20V。

關斷時施加一定幅值的負驅動電壓（一般取-5~-15V）有利於減小關斷時間和關斷損耗。

在柵極串入一只低值電阻，可以减小寄生振荡。;1.6.3典型全控型器件的驅動電路;(2)IGBT的驅動;1.7電力電子器件的保護;1.7.1過電壓的產生及過電壓保護;電力電子裝置可視具體情況只採用其中的幾種。

其中RC3和RCD為抑制內因過電壓的措施，屬於緩衝電路範疇。;1.7.2過電流保護;對一些重要的且易發生短路的晶閘管設備，或者工作頻率較高、很難用快速熔斷器保護的全控型器件，需採用電子電路進行過電流保護。

常在全控型器件的驅動電路中設置過電流保護環節，這對器件過電流回應是最快。;1.7.3緩衝電路;1.7.3緩衝電路;另外兩種常用的緩衝電路

RC緩衝電路主要用於小容量器件，而放電阻止型RCD緩衝電路用於中或大容量器件。;圖1-42電力電子器件分類“樹”;本章小結;

IGBT為主體，第四代產品，製造水準2.5kV/1.8kA，兆瓦以下首選。仍在不斷發展，與IGCT等新器件激烈競爭，試圖在兆瓦以上取代GTO。

GTO：兆瓦以上首選，製造水準6kV/6kA。

光控晶閘管：功率更大場合，8kV/3.5kA，裝置最高達300MVA，容量最大。

電力MOSFET：長足進步，中小功率領域特別是低壓場合，地位牢固。

功率模組和功率積體電路是現代電力電子發展的一個共同趨勢。;;第二章整流電路;§2.2、晶閘管(SCR、VT);二、工作原理;三、晶閘管基本特性;2、晶閘管電流定額;;;;小結:單相半波可控整流電路的特點;聲光自熄開關;聲光自熄開關（一）原理分析

（白天）;聲光自熄開關（一）原理分析

（晚上無聲音）;聲光自熄開關（一）原理分析

（晚上有聲音）;聲光自熄開關（二）;;;q

?

;;§2.6三相半波可控整流電路;α=300時三相半波可控整流電路;;三相半波可控整流電路整流電壓平均值的計算;二、阻感負載;例1：;d2;α=300;;;二、三相橋式全控整流電路阻感負載;圖3三相橋式全控整流電路帶阻感負載a=90?時的波形

;三相橋式全控整流電路定量分析;§2.7整流電路的有源逆變;逆變產生的條件;單結晶體管;峰值電壓

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;單結晶體管振盪電路;單結晶體管觸發電路;單結晶體管觸發電路(二);雙向晶閘管;觸摸式調光臺燈;觸電的形式;保護接地;保護接零;重複接地;;;第三章直流斬波電路;MOSFET;電力場效應電晶體;電力MOSFET靜態特性;電力MOSFET動態特性;IGBT的結構和工作原理;線性穩壓電源方框圖;降壓斬波電路（BuckChopper）;升壓斬波電路(BoostChopper);升降壓斬波電路;Sepic斬波電路;開關電源分類;電晶體開關穩壓電源;半橋型開關穩壓電源;波形分析;半橋型開關穩壓電源主電路;;回饋控制;§4交流電力控制電路和交交變頻電路;§4.1交流調壓電路;二、阻感負載;;α=φ;;1、VT1提前導通，L被過充電，放電時間延長，VT1的導通角超過π；;;§4.2三相交流調壓電路;;VT5

;α=900;α=1200;§4.2單相交交變頻電路;二、整流與逆變工作狀態