存储器与可编程逻辑器件课件.pptVIP

門控管T5和T6導通時可以進行“讀”或“寫”的操作：VCCWiDDI/OR/W123T2T3T4T5T6QQT1VCCT2T1T3T4數據線數據線字線如果數據線先被加上外來電壓，則執行“寫”操作；如果數據線懸空，則執行“讀”操作。VCCWiDDI/OR/W123T2T3T4T5T6QQT1字線數據線數據線I/OR/W123數據線數據線R/W的控制作用：R/W=0時，三態門1、3接通，而門2處於高阻，使I/O信號得以經過門1、3送到數據線上，以便寫入；R/W＝1時，門1、3處於高阻狀態，門2接通，將數據線上電位送到I/O，以便讀出。W3W2W1W0地址譯碼器讀寫及輸入/輸出控制I/O1I/O0CSR/WA0A1D1D1D0D0存儲矩陣14.3.2記憶體的整體結構*************記憶體與可編程邏輯器件記憶體是用來存儲二值數字資訊的大規模積體電路，是進一步完善數字系統功能的重要部件。它是將大量記憶體按一定規律結合起來的整體，可以視為一個由許多房間組成的大旅館。每個房間有一個號碼（地址碼），每個房間內有一定內容（一位二進位數碼）。14.1半導體記憶體概述14.1.1記憶體的技術指標1.存儲容量記憶體中存儲單元的總數。一組二進位資訊稱為一個字，一個字由若干位（Bit）組成。若一個記憶體由N個字組成，每個字有M位，則記憶體的容量為M×N。例如：一個存儲單元有1K字，每個字的字長為4位，則該記憶體的容量為1024（1K字）×4=4096個二進位單元。存儲容量是ROM的主要技術指標之一，它一般用[存儲字數：2N].[輸出位數：M]來表示(其中N為記憶體的地址線數)。例如：128(字).8(位)、1024(字)8(位)等等。.(2).讀寫記憶體(RAM)(1).只讀記憶體(ROM)半導體記憶體可分為兩大類：2.存取週期連續兩次讀（寫）操作間隔的最短時間。用來表徵存取速率。14.1.2半導體記憶體的分類14.2只讀記憶體(ROM)只讀記憶體在工作時其存儲內容是固定不變的，只能讀出，不能隨時寫入，所以稱為只讀記憶體。14.2.1ROM的基本結構及工作原理ROM主要由地址解碼器、存儲矩陣和輸出電路三部分組成。下圖是一個最簡單的二極體ROM電路：ReadOnlyMemory...A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC譯碼器K:輸出控制端輸出電路存儲矩陣字線位線000011111111111000000001地址A1A0D3D2D1D0內容位線A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-UCC譯碼器K:輸出控制端字線輸入任意一個地址碼，解碼器就可使與之對應的某條字線為高電平，進而從位線上讀出四位輸出數字量。可見，字線和位線的每一個交叉點都是一個存儲單元。交叉點處有二極體，相當於存1，沒有二極體相當於0。ROM電路圖可以簡化（用表示二極體）。例如：用ROM實現下列邏輯函數功能m0m1m2m3m4m5m6m7F1F2+VCCW3W0W1W2D0D1D2D3左圖是使用MOS管的ROM矩陣：有MOS管的單元存儲“0”，無MOS管的單元存儲“1”。左圖也可以簡化，有MOS管處用代替。在前面介紹的兩種記憶體中，其存儲單元中的內容在出廠時已被完全固定下來，使用時不能變動，稱為固定ROM。有一種可編程序的ROM，在出廠時全部存儲“1”，用戶可根據需要將某些單元改寫為“0”,然而只能改寫一次，稱其為PROM。字線位線熔斷絲若將熔絲燒斷，該單元則變成“0”。顯然，一旦燒斷後不能再恢復。PROM中的內容只能寫一次，有時仍嫌不方便，於是又發展了一種可以改寫多次的ROM，簡稱EPROM。它所存儲的資訊可以用