2025北京高三一模物理汇编：压轴选择.docx

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2025北京高三一模物理汇编

压轴选择

一、单选题

1．（2025北京朝阳高三一模）用多用电表的直流电压挡直接测量一节干电池两端的电压，把测量值作为电动势。下列说法正确的是（????）

A．由于系统误差，该测量值大于真实值

B．电压表的内阻较大时，系统误差较大

C．干电池的内阻较大时，系统误差较大

2．（2025北京房山高三一模）半导体掺杂是集成电路生产中最基础的工作。如图所示为某晶圆掺杂机的简化模型图，平行金属板A、B间电压为U，产生竖直方向的匀强电场。上下两同轴的电磁线圈间的磁场可视为匀强磁场，其磁感应强度与所通电流Ⅰ成正比。由左侧离子发生器（图中没画出）产生电量为q、质量为m的离子，以速度沿电场的中央轴线飞入电场，当U=0、I=0时，离子恰好打到晶圆圆心О点。已知晶圆垂直纸面放置，在晶圆面内xOy坐标系中，x轴为水平方向、y轴为竖直方向，若掺杂操作过程中，离子全部打在晶圆上，忽略离子的重力、空气阻力和离子间的相互作用力。在上述过程中，下列说法正确的是（）

A．U越大，离子在竖直方向上偏离的位移越大，离子穿过两极板的时间越短

B．当I=0时，离子在竖直方向上的偏离位移与U成反比

C．当U=0时，只要I≠0，无论Ⅰ多大，离子都不可能打在x轴上

D．经过电场和磁场后，离子打在晶圆上的动能与电流Ⅰ的大小无关

3．（2025北京石景山高三一模）如图所示，一充好电的平行板电容器放在光滑绝缘水平面上，两极板垂直于水平面，相距为L，匀强磁场方向垂直水平面向下，磁感应强度大小为B。t=0时刻，将一长度为L的导体棒ab垂直极板放在两极板之间的水平面上，从静止释放，t1时刻导体棒经过图中虚线位置时电流大小为i（i≠0），此时导体棒动量变化率为k。运动中导体棒始终与极板接触良好，不计一切摩擦。下列说法正确的是（）

A．0~t1时间内，导体棒的动量变化量一定大于kt1

B．0~t1时间内，导体棒的动量变化量一定小于kt1

C．k的方向水平向左

D．k的大小为iL

4．（2025北京丰台高三一模）地磁场可以阻挡能量很高的太阳风粒子到达地球表面。地球北极附近的磁场如图所示，某带电粒子从弱磁场区向强磁场区前进时做螺旋线运动，不计粒子的重力和一切阻力，下列说法正确的是（）

A．该粒子带负电

B．从弱磁场区到强磁场区的过程中粒子的速率逐渐减小

C．粒子每旋转一周沿轴线方向运动的距离不变

D．粒子有可能从强磁场区域返回到弱磁场区域

5．（2025北京延庆高三一模）类比是研究问题的常用方法。与电路类比就可以得到关于“磁路”（磁感线的通路）的一些基本概念和公式。在电路中可以靠电动势来维持电流，在磁路中靠“磁动势”来维持铁芯中的磁场，如图1所示，磁动势Em=NI，其中N为线圈的匝数，I为通过线圈中的电流。类比闭合电路的欧姆定律，磁路也存在闭合磁路的欧姆定律Em=ΦRm，其中Φ为磁通量，Rm被称为磁阻，磁阻所满足的磁阻定律与电阻定律具有相同的形式，磁阻率可类比电阻率，磁路的串、并联规律可类比电路的串、并联规律。结合以上关于磁路的信息以及你所学过的知识，下列说法不正确的是（）

A．变压器铁芯的磁阻率远小于空气的磁阻率

B．在国际单位制中，磁阻的单位可以表示为

C．不考虑漏磁，图2所示的串联磁路满足Em=Φ(Rm1+Rm2)

D．不考虑漏磁，在图3所示的并联磁路中，磁阻小的支路中磁感应强度一定大

6．（2025北京顺义高三一模）量子隧穿效应是当电子或者其它微观粒子（例如质子和中子等）从势垒（可以理解为是一种能量壁障）的一边入射时，即使它们不具有足够的动能从势垒顶部翻越过势垒，它们仍然有一定概率能够在入射的一边消失而在势垒的另一边出现的现象。粒子的隧穿概率，，其中m为粒子质量，h为普朗克常量，为势垒的高度（单位是能量单位），E为粒子的能量，L为势垒的宽度（单位是长度单位）。扫描隧道显微镜是根据量子力学原理中的隧穿效应而设计成的，当原子尺度的探针针尖在不到一个纳米的高度上扫描样品时，在针尖与样品之间加一大小为U的电压，针尖与样品之间产生隧穿效应而有电子逸出，形成隧穿电流。当探针沿样品表面按给定高度匀速扫描时，因样品表面原子的凹凸不平，使探针与样品表面间的距离不断发生改变，从而引起隧穿电流随时间不断发生改变，这种变化便反映了样品表面原子水平的凹凸形态。设电子的电荷量为e，下列说法正确的是（）

A．扫描隧道显微镜可以探测样品的深层信息

B．量子隧穿效应是宏观物体也能表现出的常见现象

C．改变探针和样品之间的电压U可以改变电子的能量E

D．扫描隧道显微镜系统中产生隧穿效应的电子应满足

7．（2025北京大兴高三一模）太阳能电池发电的原理主要是半导体的光电效应，太阳能硅晶片中，P型半导体中含有较多的空穴（可视为正电荷）