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团体标准

T/QGCMLXXXX—XXXX

无掩模版紫外光刻机

MasklesstemplateUVlithographymachine

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

全国城市工业品贸易中心联合会发布

T/QGCMLXXXX—XXXX

目次

前言II

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4技术要求1

5试验方法2

6检验规则2

7标志、包装、运输和贮存3

I

T/QGCMLXXXX—XXXX

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由提出。

本文件由全国城市工业品贸易中心联合会归口。

本文件主要起草单位：

本文件主要起草人：

II

T/QGCMLXXXX—XXXX

无掩模版紫外光刻机

1范围

本文件规定了无掩模版紫外光刻机的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、

运输和贮存。

本文件适用于无掩模版紫外光刻机的生产和检验。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T191包装储运图示标志

GB4793.1测量、控制和实验室用电气设备的安全要求第1部分：通用要求

GB/T13384机电产品包装通用技术条件

GB/T2680建筑玻璃可见光透射比、太阳光直接透射比、太阳能总透射比、紫外线透射比及有关

窗玻璃参数的测定

3术语和定义

本文件没有需要界定的术语和定义。

无掩模版紫外光刻机：一种无需传统掩模版，通过数字图像直接控制紫外光源对涂有光刻胶的基片

进行曝光，实现图案转移的光刻设备。

光刻分辨率：指光刻机能清晰分辨的最小特征尺寸，通常以微米（μm）或纳米（nm）为单位。

套刻精度：在多次光刻过程中，不同层次图案之间的对准精度，用于衡量多层结构制作的准确性。

4技术要求

（一）性能要求

光刻分辨率：设备应具备不同的光刻分辨率选项，以满足不同应用需求。例如，对于微电子领域，

光刻分辨率应能达到亚微米级别（如0.5μm-1μm）；对于光学元件制作，分辨率可根据具体要求在

微米至纳米级别调整。

套刻精度：套刻精度应优于±50nm，对于高精度应用场景，如先进集成电路制造，套刻精度应达到

±30nm甚至更高。

曝光均匀性：在有