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1+X集成电路理论习题含答案.docx

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1+X集成电路理论习题含答案

一、单选题(共43题,每题1分,共43分)

1.正常工作时风淋室内无人时,外部的()指示灯亮起。

A、黄色

B、红色

C、绿色

D、蓝色

正确答案:C

答案解析:风淋室内无人时,外部的绿色指示灯亮起,进入风淋室后关门,风淋室自动落锁,外部指示灯变为红色,风淋开始。

2.激光打字在打标前需要调整()的位置。

A、场镜和光具座

B、场镜和收料架

C、光具座和显示器

D、显示器和收料架

正确答案:A

答案解析:激光打字打标前需要调整场镜和光具座的位置,场镜的位置准确与否影响激光聚焦效果从而影响打标精度,光具座的位置调整能确保光路的正确,使激光准确地打到指定位置进行打标。而收料架和显示器与打标前调整位置并无直接关联。

3.“6s”的管理方式相较于“5s”,多的一项内容是()。

A、整理

B、整顿

C、清洁

D、安全

正确答案:D

答案解析:5S即整理、整顿、清扫、清洁、素养。6S管理是5S的升级,6S即整理、整顿、清扫、清洁、素养、安全(SECURITY)。

4.LK32T102单片机工作频率最高支持()。

A、144MHz

B、36MHz

C、72MHz

D、18MHz

正确答案:C

5.常用的干法去胶方法有()。

A、介质去胶

B、等离子去胶

C、溶剂去胶

D、氧化剂去胶

正确答案:B

答案解析:常用的去胶方法有溶剂去胶、氧化剂去胶、等离子去胶,其中干法去胶的方法为等离子去胶。

6.在淀积时,反应气体的多少会影响淀积的速率及均匀性,因此需严格控制气体流量,通常采用()来实现精确控制。

A、电磁流量计

B、气体流量计

C、液体流量计

D、质量流量计

正确答案:D

答案解析:质量流量计能够精确测量和控制气体的质量流量,不受气体压力、温度等因素的影响,可实现对反应气体流量的精确控制,从而保证淀积的速率及均匀性。气体流量计一般只能测量体积流量,受温度、压力影响较大,不能精确控制。液体流量计用于测量液体流量,与反应气体无关。电磁流量计主要用于测量导电液体的流量,也不适用于反应气体流量控制。

7.转塔式分选机常见故障不包括()。

A、真空吸嘴无芯片

B、测试卡与测试机调用的测试程序错误

C、料轨堵塞

D、IC定位错误

正确答案:D

8.自定义元件库需与原理图文件放在同一()中。

A、Message

B、Project

C、Navigator

D、Target

正确答案:B

答案解析:自定义元件库需与原理图文件放在同一项目(Project)中,这样便于统一管理和调用相关文件,其他选项不符合要求。

9.芯片检测工艺通常在()无尘车间内进行。

A、百级

B、三十万级

C、千级

D、十万级

正确答案:C

答案解析:芯片检测工艺是对完成封装的芯片进行电性测试,其芯片为非裸露状态,通常在常规千级无尘车间内进行,其温度为22±3℃,湿度为55±10%。

10.利用编带机进行编带的过程中,在完成热封处理后,需要进入()环节。

A、将芯片放入载带中

B、密封

C、编带收料

D、光检

正确答案:C

11.单晶硅生长完成后,需要进行质量检验,其中不是物理性能检验的参数的是()。

A、电阻率

B、晶向

C、直径

D、外观

正确答案:A

12.单晶炉的开机顺序正确的是()。

A、电源开关→加热器开关→坩埚开关→籽晶开关

B、电源开关→籽晶开关→坩埚开关→加热器开关

C、籽晶开关→坩埚开关→加热器开关→电源开关

D、电源开关→坩埚开关→加热器开关→籽晶开关

正确答案:A

答案解析:单晶炉的开机顺序为:电源开关→加热器开关→坩埚开关→籽晶开关。

13.转塔式分选机设备芯片检测工艺流程中,上料之后的环节是()。

A、分选

B、测试

C、编带

D、外观检查

正确答案:B

答案解析:转塔式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为:上料→测试→编带→外观检查→真空包装。

14.防静电点检的目的是()。

A、检测进入车间人员的体重与身体状况

B、指纹检测

C、检测人体带有的静电是否超出进入车间的标准

D、防止灰尘或静电的产生

正确答案:C

答案解析:防静电点检的目的是检测人体带有的静电是否超出进入车间的标准,没有A、B、D选项所述的功能;规范着装的目的是防止人体灰尘的散落或静电的产生。

15.重力式外观检查是在()环节之前进行的。

A、编带

B、测试

C、分选

D、真空包装

正确答案:D

答案解析:重力式分选机设备芯片检测工艺流程:上料→测试→分选→编带(SOP)→外观检查→真空包装。

16.芯片检测工艺中,整批芯片完成外观检查后,需要进入()环节。

A、测试

B、真空包装

C、编带

D、上料

正确答案:B

17.()是使硅片上的局部区域达到平坦化。

A、局部平坦化

B、全局平坦化

C、部分平坦化

D、平滑处理

正确答案:A

答案解析

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