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2025年光刻分析报告：自主可控核心环节，国产替换迫在眉睫.pdf

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    光刻：自主可控核心环节，国产替换迫在眉睫

    分辨率、套刻精度、产能为光刻机核心参数。光刻工艺是芯片制造流

    程中技术难度最大、成本最高、周期最长的环节，直接决定了芯片的最

    小线宽，定义了半导体器件的特征尺寸，先进技术节点的芯片制造需

    要60-90步光刻工艺，光刻成本占比约为30%，耗费时间占比约为40-

    50%。光刻中的核心工具包括光掩膜、光刻机和光刻

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