中微公司刻蚀设备领军者，技术新品不断突破.docxVIP

证券研究报告正文目录

证券研究报告

快速成长的半导体设备领军者 5

CCP刻蚀起步，不断进行技术攻坚 5

刻蚀薄膜沉积优势明显 7

受益国产替代，公司进入高速成长期 9

晶圆制造国产化推动下，设备将持续受益于半导体资本开支攀升 11

2026年，中国大陆12寸晶圆产能将跃升至全球第一 11

中国大陆持续成为全球半导体设备最大市场 12

高研发投入助力公司高端产品突破 13

制程节点不断进步，刻蚀重要性愈发凸显 13

得益于持续的高研发投入，近年来公司高端产品不断取得突破 14

盈利预测 16

风险提示 17

财务报表与盈利预测 18

证券研究报告图表目录

证券研究报告

图表1中微公司历史沿革 5

图表2中微公司前十大股东（截至2024年三季报） 6

图表3管理团队专业能力突出 6

图表4中微公司半导体设备产品线情况 8

图表5公司收入逐年高增 9

图表6合同负债验证订单大幅增长 9

图表7公司盈利能力稳定提升 10

图表8公司管理费用率快速下降 10

图表9公司保持高研发投入 10

图表10公司归母净利润快速提升 10

图表11全球晶圆产能扩张中，中国大陆占比最大，增速高于全球 11

图表122026年，中国大陆12寸晶圆产能全球第一 12

图表132023年，中国大陆持续成为全球最大的集成电路设备市场 12

图表1410NM多重模板工艺中，涉及多次刻蚀，最后将边墙控制至10NM厚度 13

图表153DNAND需要更高纵深比 14

图表16公司多年保持10%以上研发投入占比 14

图表17公司研发费率水平高于应用材料和泛林 14

图表18公司近年不断取得产品突破 15

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时间 历史沿革图表

时间 历史沿革

中微公司（688012.SH）成立于2004年，总部位于上海张江高科技园区，是一家专注于高端半导体设备研发和制造的行业领先企业。公司前身为中微有限，系由中微亚洲出资设立，设立时为外商独资企业。2018年12月，中微有限整体变更为股份公司。2019年7月，公司成功登陆科创板，成为首批上市公司之一。成立以来，先后发布了首台CCP刻蚀设备、7纳米介质刻蚀设备和多种MOCVD设备等具有全球竞争力的设备。近年来，公司进一步推出自主研发的12英寸低压化学气相沉积

（LPCVD）设备和高深宽比金属钨沉积设备等产品，不断巩固其在全球半导体设备市场的领先地位。

2004-08 在张江高科技园区启动运营

2007-06 首台CCP刻蚀设备产品研制成功，并运往国内客户

2010-06 首台TSV/MEMS/Dicing刻蚀设备产品研制成功，并运往客户

2011-09 中微45纳米介质刻蚀设备研制成功

2012-11 首台MOCVD设备产品研制成功，并运往国内客户

2013-12 中微22纳米介质刻蚀设备研制成功

2015-07 中微反应台交付量突破400台

2015-12 中微、国家集成电路产业投资基金和苏州聚源东方完成对拓荆投资

2015-02 由于中微等离子体刻蚀机的成功研发和量产，美国商务部取消了等离子体刻蚀机对中国的出口控制

2016-11 首台单反应台ICP刻蚀设备产品研制成功，并运往国内客户

2016-08 中微7纳米介质刻蚀设备研制成功

2016-06 首台第二代MOCVD设备产品研制成功，并运往国内客户

2016-02 首台VOC设备产品研制成功，并运往国内客户

2016-01 中微14纳米介质刻蚀设备研制成功

2017-10 中微第100台MOCVDPrismoA7?反应腔付运里程碑

2017-07 中微刻蚀设备进入国际先进7纳米生产线

2017-04 首台双反应台ICP刻蚀设备产品研制成功

2019-07 成为科创板首批上市公司之一

2020-07 发布用于深紫外LED量产的MOCVD设备PrismoHiT3?

发布用于高性能Mini-LED量产的MOCVD设备PrismoUniMax?,首台8英寸CCP刻蚀设备PrimoAD-RIE200?顺利

2021-06

付运

2023-05 推出自主研发的12英寸低压化学气相沉积(LPCVD)设备PreformaUniflex?CW

2024-01 美国国防部将中微公司列入CMC清单

推出自主研发的12英寸高深宽比金属钨沉积设备PreformaUniflex?HW以及12英寸原子层金属钨沉积设备Preforma

2024-05

Uniflex?