第七章 场效应管及其基本放大电路.pptxVIP

第七章场效应管放大电路与放大电路的频率响应

1第七章场效应管放大电路与放大电路的频率响应7.1场效应管的外部特性7.2场效应管放大电路

2第七章场效应管放大电路与放大电路的频率响应FET

分类金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）即绝缘栅型场效应管（MOS管）结型场效应管（JFET）单极型晶体管—仅靠半导体中的多数载流子导电噪声小、抗辐射能力强、低电压工作、低能耗场效应晶体管(FET)：利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。FET

特点重点：增强型MOSFET

3第七章场效应管放大电路与放大电路的频率响应场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的：e、b、c；有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的：截止区、放大区、饱和区。场效应管具有制造工艺简单、占用芯片面积小、器件特性便于控制等特点，从而可以用于制造高密度的超大规模集成电路。

4N沟道增强型MOS管绝缘栅型场效应管MOSFET分为增强型?N沟道、P沟道耗尽型?N沟道、P沟道7.1.1增强型MOS管1.结构（N沟道）7.1场效应管的外部特性图中衬底箭头方向是PN结正偏时的正向电流方向

52．伏安特性曲线与电流方程特性测试电路比较(a)共源极特性测试电路(b)共发射极特性测试电路

6K为常数，由场效应管结构决定抛物线（1）转移特性

7（2）输出特性曲线①截止区当uGSUth时，导电沟道尚未形成，iD=0，为截止工作状态，又称为夹断区。②可变电阻区uDS≤（uGS－Uth）直线斜率的倒数为D-S间的等效电阻,改变uGS来改变漏-源电阻的阻值(压控电阻）2．伏安特性曲线与电流方程

8iD近似为电压uGS控制的电流源,与uDS基本无关，恒流区③饱和区（恒流区又称放大区）利用场效应管作放大管时，应使其工作在该区域（2）输出特性曲线

97.1.2耗尽型MOS管的外部特性1．符号uGS=0时就存在导电沟道耗尽型MOS管在uGS＞0、uGS＜0、uGS＝0时均可导通，由于SiO2绝缘层的存在，在uGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。

102．伏安特性与电流方程UP

111.符号JFET属于耗尽型一类。7.1.3结型场效应管（JFET）的外部特性(a)N沟道(b)P沟道

12除了结型场效应管必须保证uGS≤0之外，它的特性曲线与N沟道耗尽型MOS管是相似的。2.伏安特性与电流方程

13问题：uGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种？只有uGS＞0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种？只有uGS＜0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种？工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性7.1.4各种场效应管的特性比较1各种FET特性比较

14各种场效应管的特性比较（1）结构类型工作方式电路符号转移特性曲线输出特性曲线绝缘栅(MOSFET)N沟道增强型耗尽型

15各种场效应管的特性比较（2）结构类型工作方式电路符号转移特性曲线输出特性曲线绝缘栅(MOSFET)P沟道增强型耗尽型

16各种场效应管的特性比较（3）结构类型工作方式电路符号转移特性曲线输出特性曲线结型(JFET)N沟道耗尽型结型(JFET)P沟道耗尽型

17结构类型绝缘栅(MOSFET)N沟道绝缘栅(MOSFET)P沟道结型(JFET)N沟道结型(JFET)P沟道工作方式增强型耗尽型增强型耗尽型耗尽型耗尽型电路符号转移特性曲线输出特性曲线各种场效应管的特性比较（4）

18【例7.1.1】：已知某场效应管的输出特性曲线如图所示。试分析该场效应管是什么类型的场效应管（结型、绝缘栅型、N沟道、P沟道、增强型、耗尽型）。所以，该管为N沟道增强型MOS管。解：从iD的方向或uDS、uGS可知，该管为N沟道管。从输出特性曲线可知，开启电压Uth=40，说明该管为增强型MOS管。7.1.4各种场效应管的特性比较

场效应管的主要参数19①开启电压VGS（th）（或VT）开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值，场效应管不能导通。②夹断电压VGS（off）（或VP）夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGS（off）时，漏极电流为零。③饱和漏极