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摘要
锑化物II类超晶格材料具有带隙可调、电子有效质量大、均匀性好、响应速率快
和更高的工作温度等优点，在一些方面的性能已经超过了碲镉汞材料，成为第三代红
外探测材料的有力竞争材料之一。然而锑化物超晶格材料和很多Ⅲ-Ⅴ族半导体材料一
样存在着高表面态密度问题，影响其光电性能。因此需要对锑化物超晶格材料进行湿
法与干法钝化处理。为了研究锑化物超晶格钝化对发光机制产生的影响，比较分析了
超晶格材料钝化处理前后的表面质量和发光性能。结论如下：
1.InAs/InGaAsSbII类超晶格材
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