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氢钝化p-GaN增强型GaN+HEMT器件电学特性研究.pdf

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    摘要

    氮化镓（GaN）被视为下一代功率器件的杰出候选者，相对于硅，GaN具有更

    高的临界电场和高电子饱和速度。特别是基于AlGaN/GaN异质结构的GaN高电子迁

    移率晶体管（HEMT）越来越受欢迎，并有望彻底改变功率电子行业。GaNHEMT

    以耗尽模式运行，但为了实现安全运行、低功耗和电路设计的便利性，增强型模式

    操作至关重要。在几种现有的实现增强模式的技术中，p型栅是实现增强型器件的主

    要方案之一,它在性能、可靠性和成本之间取得了良好的平衡，但由于传统刻蚀工艺

    难度大，仍存在刻

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