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摘要
集成电路芯片制造是信息技术及产业发展的关键技术。在集成电路芯片的精密制
造过程中,极紫外光刻机扮演着举足轻重的角色。极紫外光源作为光刻机的核心部件,
其性能是光刻系统效率和精度的决定因素。随着输出波长13.5nm极紫外光刻机的商
业化量产,为了进一步提升光刻精度,6.7nm激光钆(Gd)等离子体被认为是下一代
极紫外光刻光源的潜力候选。然而,提高Gd靶激光等离子体光源的输出功率仍是当
前面临的挑战。基于此,本文利用飞秒激光加工技术制备微结构Gd靶,开展微结构
靶极
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