光伏铜栅线异质结电池金属化技术规范-征求意见稿.pdfVIP

T/TMACXXXX—2025

光伏铜栅线异质结电池金属化技术规范

1范围

本文件规定了光伏铜栅线异质结电池金属化的工艺流程、技术要求和铜栅线异质结电池制备工艺。

本文件适用于光伏异质结电池中使用铜栅线进行金属化的制造和检测。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

光伏铜栅线异质结电池heterojunctionsolarcellwithcoppergridlines

基于硅基异质结结构，采用铜栅线作为导电电极的太阳能电池。

3.2

金属化metallization

在光伏电池的透明导电薄膜（TCO）或其他基底上，通过电镀、化学镀或其他方法沉积金属层的过

程。

3.3

种子层seedlayer

一种导电或半导电薄层，通常通过物理或化学方法沉积在基底表面，为后续金属电镀提供附着基础。

3.4

图形化patterning

通过掩模、刻蚀或选择性沉积技术在电池表面形成特定形状的金属结构或图案的过程。

4工艺流程（工艺测试部分）

4.1单面籽铜电镀工艺

单面籽铜电镀工艺应按下列步骤执行：

a)硅片预处理：应对N型单晶硅片进行制绒清洗，确保表面洁净无杂质；

b)沉积薄膜：在硅片的正、反面分别沉积本征非晶硅和掺杂非晶硅，在掺杂非晶硅上镀透明导

电氧化物（TCO）薄膜，如氧化铟锡（ITO）、氧化铟铈（ICO）等；

c)种子层制备：采用磁控溅射、蒸镀或等离子体增强化学气相沉积（PECVD）等方法在透明导电

膜上沉积金属种子层（铜、镍、铜镍合金等）；

d)图形化：制作图形化掩膜层，形成的栅线电极开口，主流方法包括曝光显影、激光开槽、喷

墨打印等；

e)铜电镀：在掩膜开口处进行铜电镀，形成铜栅线电极；

f)后处理：剥离图形化掩膜层，刻蚀去除多余金属种子层，在铜栅线上镀一层金属锡或银保护

层，防止铜电极氧化。

1

T/TMACXXXX—2025

4.2单面无籽铜电镀工艺

4.2.1P面金属化

a)P面丝网印刷：直接在P型面印刷导电浆料，形成主栅线；

b)烘干/退火：烘干浆料，或快速退火提升附着力；

c)光注入：光激发提升表面钝化效果；

d)N面光诱导：激光诱导N型面局部活化，为后续电镀提供导电通道。

4.2.2N面图形化

a)光刻工艺：

1)N面油墨印刷：在N型面涂覆光刻胶，定义细栅线开口区域；

2)烘干：固化胶层；

3)N面曝光：紫外光透过掩膜版曝光，显影后形成栅线开口。

b)喷墨打印：

1)喷墨打印图形化：使用导电或抗蚀油墨，通过喷墨打印机直接在N型面打印栅线图案；

2)固化：紫外光或热固化稳定图案。

c)包边：在硅片边缘涂覆保护层，防止电镀液或金属渗透至边缘区域。

4.2.3电镀铜

在N型面开口区域直接电镀铜，无需种子层。

4.2.4后处理

a)N面前处理：酸洗（如稀硫酸）去除氧化层，活化表面；

b)N面光诱导（二次处理）：激光微调局部导电性，优化电极接触；

c)N面去膜：剥离光刻胶，保留铜栅线；

d)锡保护：化学浸锡。

4.3双面铜电镀工艺

4.3.1种子层制备

a)硅片退火消除应力，光注入提升表面钝化效果；

b)PVD铜溅镀：双面磁控溅射铜种子层。

4.3.2双面图形化

a)N面油墨印刷：在N型面涂覆光刻胶，烘烤固化胶层；

b)P面油墨印刷：在P型面同步涂