半导体器件 金属化应力空洞试验 (1).pdfVIP

ICS31.080

CCSL00

中华人民共和国国家标准

GB/TXXXXX—XXXX/IEC62418：2010

`

半导体器件金属化应力空洞试验

Semiconductordevices-Metallizationstressvoidtest

(IEC624182010IDT)

：，

（报批稿）

2022-12-10

（本草案完成时间：）

在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

GB/TXXXXX—XXXX/IEC62418：2010

目次

前言II

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4试验设备1

5测试结构1

5.1测试结构图形1

5.2线形图形1

5.3通孔链图形1

6应力温度2

7程序2

7.1应力空洞评估方法2

7.2电阻测量法2

7.3外观检查法3

8失效判据3

8.1电阻测量法3

8.2外观检查法3

9数据分析及寿命外推（仅用于电阻测量法）4

10规定条件和报告5

10.1电阻测量法5

10.2外观检查法6

附录A（资料性）应力迁移机理7

附录B（资料性）影响Al金属化空洞的技术因素9

附录C（资料性）影响Cu金属化空洞的技术因素10

附录D（资料性）注意事项11

参考文献13

I

GB/TXXXXX—XXXX/IEC62418：2010

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

本文件等同采用IEC62418：2010《半导体器件金属化应力空洞试验》。

本文件增加了第2章“规范性引用文件”和第3章“术语和定义”。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口。

本文件起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所、河北北芯半导体科技有限公司、广州天极

电子科技股份有限公司、中国核电工程有限公司河北分公司、广东科信电子有限公司、河北新华北集成

电路有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、中山奥士森电子有限公司、深圳市微特精密科技股份

有限公司。

本文件主要起草人：裴选、席善斌、杨俊锋、侯继儒、卫云、高东阳、尹丽晶、吴亚光、赵昱、柯

佳键、任怀龙、肖庆中、龙秀才、程志勇、曲韩宾、高博。

II

GB/TXXXXX—XXXX/IEC62418：2010

半导体器件金属化应力空洞试验

1范围

本文件描述了铝（Al）或铜（Cu）金属化应力空洞试验方法及相关判据。

本文件适用于半导体工艺的可靠性研究和鉴定。

2规范性引用文件