半导体器件表面镀涂锡和锡合金上的锡须的环境接收要求.docx

ICS31.080.01

CCSL40

中华人民共和国国家标准

GB/TXXXXX—XXXX/IEC62483:2013

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半导体器件表面镀涂锡和锡合金上的锡须的环境接收要求

Environmentalacceptancerequirementsfortinwhiskersusceptibilityoftinandtinalloysurfacefinishesonsemiconductordevices

(IEC62483：2013，IDT)

(报批稿)

(本草案完成时间：2021-11-08)

XXXX-XX-XX发布

XXXX-XX-XX实施

GB/TXXXXX—XXXX/IEC62483:2013

目次

前言 IV

引言 V

1范围 1

2规范性引用文件 1

3术语和定义 1

4测量锡须生长的试验方法 2

4.1程序 2

4.2试验样品 2

4.3注意事项 2

4.4回流焊 3

5锡和锡合金表面镀涂的接收试验程序 3

5.1技术、制造工艺或相似性接收试验的确定 3

5.2样品 8

5.2.1样品要求 8

5.2.2具有5个或以上引线的多引线器件样本量 8

5.2.3具有4个或以下引线的无源和分立器件样本量 8

5.2.4备用样品 8

5.3试验程序及持续时间 9

5.3.1预处理 9

5.3.2试验条件 9

5.3.3试验持续时间 9

5.3.4锡须检查 10

5.3.5高温高湿试验中观察到的表面腐蚀 10

5.4确定试验中用到的等级 12

6接收试验判据 12

6.1总则 12

6.2排除通孔引线端头的锡须 13

7报告 13

7.1一般要求 13

7.2使用表2中的技术和工艺参数来描述表面镀涂 14

7.3样品和预处理 14

7.4接收试验 14

8生长中的锡须评估 14

附录A(资料性)测量半导体器件锡和锡合金表面镀涂上锡须生长的试验方法 16

A.1概述 16

A.2免责声明 16

I

II

GB/TXXXXX—XXXX/IEC62483:2013

A.3仪器设备 17

A.3.1温度循环试验箱 17

A.3.2温湿度试验箱 17

A.3.3光学体式显微镜(可选的) 18

A.3.4光学显微镜(可选的) 18

A.3.5扫描电子显微镜 18

A.3.6对流回流焊炉(可选的) 18

A.4光学显微镜设备确认 18

A.5样品要求和可选的预处理 20

A.5.1接收试验要求 20

A.6锡须检查、长度测量和试验条件 22

图1器件表面镀涂截面图 1

图2典型的引出端腐蚀图片 3

图3锡须示意图 4

图4非锡须的表面生成物 1

图5锡须长度测量 1

图6最小引线间距 2

图7基于相似性，确定是否需要进行技术接收试验、制造工艺接收试验流程图 4

图8采用烘烤后延缓技术的铜合金引线框架的多引线器件技术接收试验流程图-固定表面镀涂试验样

品和技术参数 5

图A.1锡须试验流程图 17

图A.2可选的预处理回流曲线 22

图A.3腐蚀区域生长的锡须示例 23

图A.4需检查的描述器件引线和引线顶面、2个侧面和弯曲处的示意图 24

图A.5无引线器件和需检查的引出端顶面和3个侧面示意图 25

图A.6某一可能试样和用于检查的3个1.7mm2区域示意图 25

表1减小SMT电路板组装过程中引出端浸润的指南b 3

表2表面镀涂技术和制造工艺接收试验参数 6

表3锡和锡合金表面镀涂接收试验矩阵 6

表4多引线器件的锡和锡合金表面镀涂接收试验的样本量要求 9

表5具有4个或以下引线的无源和分立器件的锡和锡合金表面镀涂接收试验的样本量要求 9

表6技术接收试验和持续时间 1