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JournalofELECTRONICMATERIALS,39,10,2021上图CVD方法中，Ni催化剂位于Si/SiO2衬底的外表，焦耳加热至900-1000度，然后通入CH4，在催化剂的作用下生成了石墨烯
J.Phys.DAppl.Phys.43(2021)455402这里用的是Co催化剂
NanoLett.9,1(2021)a图为生长石墨烯之前的光学图像，b图为生长石墨烯之后的光学图像，可以看到石墨烯覆盖在了原来Ni催化剂的外表上图也给出了基片的构造
其他一些制备方法NATURE4685492021在Cu/Si/SiO2外表上涂一层PMMA，加热后在Cu外表生成了石墨烯
其他一些制备方法APPLIEDPHYSICSLETTERS96,063110(2021)无定形碳位于Ni薄膜和Si/SiO2衬底之间，加热再冷却，在Ni的外表生成了石墨烯
其他一些制备方法small2021,6,11,1226在MgO(001)上覆盖Co，再在其外表覆盖上聚苯乙烯，真空中加热生成石墨烯
生长机理
该模型认为在生长过程中，衬底中的Ru被蚀刻掉了，文中还结合LEEM图像进行了验证
NewJournalofPhysics11(2021)063046本文研究了在Ru(001)和Ir(111)外表上生长石墨烯的影响因素
naturematerials74062021通过IV光谱的测量和模拟得到了石墨烯在Ru(001)外表的堆叠方式
利用VASP计算研究了Ir/Ru/Cu外表上C-C对的稳定性，之所以要研究C-C对是因为其是石墨烯生长过程中成核的中心
实验中观察到的石墨烯在Pt(111)面生长的过程
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