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产生EMC问題重要通过两个途径:一种是空间电磁波干扰的形式;另一种是通过传导的形式,换句话說，产生EＭC问題的三个要素是:电磁干扰源、耦合途径、敏感设备。

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骚扰源-------－－--－---－--------－-－--（途径）－------－-－--－－－－--－-------－-－-敏感受体

ＭOＳ的并联使用原则:

1．并联的ＭＯS必须為同等规格，最佳是同一批次的。

2.并联的MOS的驱动电路的驱动电阻和放电电路必须是独立分开的,不可共用驱动电阻和放电电阻。

３.PCB走线尽量保证对称,减小电流分布不均

光耦一般会有两个用途：线性光耦和逻辑光耦,假如理解？?工作在开关状态的光耦副边三极管饱和导通,管压降0．4V，Voｕt约等于Vcc(Ｖｃc-0.4Ｖ左右),Voｕt大小只受Vcc大小影响。此時IcIf＊CTR，此工作状态用于传递逻辑开关信号。工作在线性状态的光耦,Ic=If*CTR,副边三极管压降的大小等于Ｖcc-Ic*ＲL，Vout=Ic*RＬ=(Vin-1.6Ｖ)／Ri＊CＴＲ*ＲL，Voｕt大小直接与Ｖin成比例，一般用于反馈环路里面(1.６V是粗略估计，实际要按器件资料，后续1.6Ｖ同）。

2光耦ＣＴＲ?概要:

1)对于工作在线性状态的光耦要根据实际状况分析;

2)对于工作在开关状态的光耦要保证光耦导通時CＴR有一定余量;

３）CTR受多种原因影响。

２．1光耦能否可靠导通实际计算?举例分析，例如图．1中的光耦电路,假设Ｒi＝1k，Ro=１ｋ,光耦CTＲ＝50%,光耦导通時假设二极管压降為1.6V,副边三极管饱和导通压降Ｖce=０.4V。输入信号Vi是5V的方波，?输出Ｖｃc是3．3V。Vout能得到3.3Ｖ的方波吗？

我們来算算:If=(Vｉ-１．６Ｖ)／Ri=3.4mA?副边的电流限制:Ic’≤CTR＊If＝1．7mA?假设副边要饱和导通，那么需要Ic’=（3.3V–0.4V)/１k=2.９mA，不小于电流通道限制,因此导通時，Iｃ会被光耦限制到１.7mＡ，Ｖoｕt＝Rｏ*1.7mA=1.7Ｖ

因此副边得到的是1.7V的方波。?為何得不到3.3V的方波，可以理解為图.1光耦电路的电流驱动能力小，只能驱动１．７mA的电流，因此光耦会增大副边三极管的导通压降来限制副边的电流到１.７mA。

处理措施:增大Iｆ;增大CＴR；减小Ic。对应措施為:减小Ｒi阻值;更换大ＣＴR光耦；增大Ro阻值。

将上述参数稍加优化,假设增大Ri到200欧姆,其他一切条件都不变,Vouｔ能得到3.3Ｖ的方波吗？

重新计算：If=(Vi–1.６V）/Rｉ＝17mＡ；副边电流限制Ic’≤CTR*Ｉf=8．5ｍＡ,远不小于副边饱和导通需要的电流(2.９mA),因此实际Ic＝２.9mA。

因此，更改Ri后,Vｏut输出３．３V的方波。

开关状态的光耦,实际计算時,一般将电路能正常工作需要的最大Iｃ与原边能提供的最小If之间Ｉc/Ｉｆ的比值与光耦的ＣＴR参数做比较,假如Ｉｃ/Ｉf≤ＣTR，阐明光耦能可靠?导通。一般会预留一点余量（提议不不小于ＣTR的９0%)。

工作在线性状态令当别论。

2、输出特性曲线

输出特性曲线是描述三极管在输入电流iＢ保持不变的前提下，集电极电流ｉC和管压降uCE之间的函数关系，既

?(５－４)三极管的输出特性曲线如图5-７所示。由图5-7可見,当IB变化時，ｉC和uCE的关系是一组平行的曲线族,并有截止、放大、饱和三个工作区。??(１）截止区IB＝0持性曲线如下的区域称為截止区。此時晶体管的集电結处在反偏,发射結电压uＢＥ０,也是处在反偏的状态。由于iB＝0，在反向饱和电流可忽视的前提下,iＣ=βiＢ也等于0,晶体管无电流的放大作用。处在截止状态下的三极管,发射极和集电結都是反偏，在电路中如同一种断开的开关。实际的状况是:处在截止状态下的三极管集电极有很小的电流ICE0，该电流称為三极管的穿透电流，它是在基极开路時测得的集电极-发射极间的电流，不受iB的控制，但受温度的影响。(２）饱和区在图５-4的三极管放大电路中，集电极接有电阻RC，假如电源电压VCC一定，当集电极电流ｉC增大時，uCE=VCC-iCRＣ将下降，对于硅管，当uCE?减少到不不小于0.7Ｖ時，集电結也进入正向偏置的状态,集电极吸引电子的能力将下降,此時iB再增大,iC几乎就不再增大了,三极管失去了电流放大作用,处在这种状态下工作的三极管称為饱和。规定UＣＥ＝UBＥ時的状态為临界饱和态,图5-７中的虚线為临界