《模拟电子技术基础》(第四版)第1章.pptxVIP

《模拟电子技术基础》(第四版)第1章.pptx

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教材:《模拟电子技术基础》主讲:柯能伟

绪论一、课程的地位和主要内容电路、电子技术(模拟、数字)、微机原理、自动控制原理、通信原理、……电子技术——研究电子器件、电子电路及其应用的科学技术。器件为路用

绪论模拟信号:在时间和数值上连续的信号。tu模拟电路

二、电子技术的典型应用计算机检测控制系统原理框图微机传感器伺服机构模拟信号处理功率放大模数转换数模转换数字接口数字接口被测控对象干扰、噪声、漂移、非线性绪论模拟电子技术数字电子技术电机

三、如何学好模电绪论课程特点:内容多、内容杂、工程实践性强1、抓“重点”2、注重综合分析注重工程化素质培养3、提高学习效率、培养自学能力课堂、答疑、作业、自学“基本电路”原理基本原理基本分析方法图解法、小信号等效电路法放大器、反馈、振荡器

01作业:10%02期末考试:90%03参考课堂和答疑表现04作业:每周交1次,全交,有参考解答四、模电成绩如何算

第一章常用半导体器件半导体器件是组成各种电子电路——包括模拟电路和数字电路,集成电路和分立元件电路的基础。本章首先介绍半导体的特性,半导体中载流子的运动,阐明PN结的单向导电性,然后介绍半导体二极管、稳压管、半导体三极管及场效应管的结构、工作原理、特性曲线和主要参数。内容提要

ADBC1.4半导体三极管1.5场效应管半导体基础知识1.3稳压管1.2半导体二极管

01导电能力介于导体和绝缘体之间的物体称半导体。02半导体的特性03如:硅(Si)、锗(Ge)等04价电子:围绕原子核运动的最外层轨道的电子05导体:低价元素06绝缘体:高价元素07硅(Si)、锗(Ge):4个价电子一、定义1.1半导体基础知识

4+简化模型(Si,Ge)硅原子结构14+价电子惯性核

温度??导电能力??可做成各种热敏元件01受光照?导电能力??可做成各种光电器件掺入微量杂质?导电能力????(几十万~几百万倍)?可做成品种繁多、用途广泛的半导体器件。如半导体二极管、三极管、场效应管等。02半导体特性

1.1.2本征半导体纯净的、没有结构缺陷的半导体单晶称为本征半导体。它是共价键结构。本征半导体的共价键结构Si,Ge惯性核价电子+4+4+4+4+4+4+4+4+4相邻原子的价电子成为共用电子,即共价键结构

在常温下自由电子和空穴的形成+4+4+4+4+4+4+4+4+4自由电子空穴复合成对出现成对消失

+4+4+4+4+4+4+4+4+4外电场方向空穴移动方向电子移动方向在外电场作用下,电子和空穴均能参与导电(载流子)。这是半导体导电与导体导电最本质的区别。价电子填补空穴

本征激发——价电子受热及光照后,挣脱共价键束缚成为自由电子。半导体的导电特性:1、热敏特性:T导电能力2、光敏特性:光照导电能力激励(温度和光照)一定时,电子空穴对的产生和复合会达到“动态平衡”。

注意本征半导体中载流子的浓度除与半导体材料本身的性质有关外,还与温度密切相关。半导体材料性能对温度的这种敏感性,既可用来制造热敏和光敏器件,又是造成半导体器件温度稳定性差的原因。0102

杂质半导体+4+4+4+4+4+4+4+4一、N型半导体磷原子多余价电子自由电子正离子通过扩散工艺,在本征半导体中掺入微量特定元素,便可形成杂质半导体。在纯净的硅或锗晶体中掺入微量五价元素(如磷)所形成的杂质半导体称N型半导体。+4+5

N型半导体结构示意图在N型半导体中,自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。多数载流子少数载流子正离子

二、P型半导体+4+4+4+4+4+4+4在纯净的硅或锗的晶体中掺入微量的三价元素(如硼)所形成的杂质半导体称P型半导体。+4硼原子填补空位+4+3负离子

P型半导体结构示意图在P型半导体中,空穴是多数载流子,自由电子是少数载流子。负离子少数载流子多数载流子

注意02对于杂质半导体,多子浓度约等于所掺杂质浓度,多子浓度受温度影响小;少子(本征激发)浓度受温度影响大;01

注意不论是N型半导体还是P型半导体,虽然它们都有一种载流子占多数,但整个晶体仍然是不带电的,呈电中性。通过掺入杂质来提高半导体的导电能力不是最终目的,因为导体的导电能力更强。杂质半导体的奇妙之处在于,掺入不同性质、不同浓度的杂质,并使P型和N型半导体采用不同的方式结合,可以制造出形形色色、品种繁多、用途各异的半导体器件。

载流子的两

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