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禁带价带满带空带满带空带价带满带一个好的金属导体，它最上面的能带或是未被电子填满，或虽被填满但填满的能带却与空带相重叠。第31页，共61页，星期日，2025年，2月5日四、半导体本征半导体是指纯净的半导体。杂质半导体是指掺有杂质半导体。电子导电——半导体的载流子是电子空穴导电——半导体的载流子是空穴（满带上的一个电子跃迁到空带后,满带中出现的空位）第32页，共61页，星期日，2025年，2月5日SiSiSiSiSiSiSiP1、n型半导体在四价元素中掺入少量五价元素，形成n型半导体。导带施主能级满带第33页，共61页，星期日，2025年，2月5日SiSiSiSiSiSiSi2、p型半导体在四价元素中掺入少量三价元素，形成p型半导体。B导带受主能级满带第34页，共61页，星期日，2025年，2月5日3、p-n结的形成由于n区的电子向p区扩散，p区的空穴向p区扩散，在p型半导体和n型半导体的交界面附近产生了一个电场,称为内电场。p-n结n型p型第35页，共61页，星期日，2025年，2月5日导带禁带满带第36页，共61页，星期日，2025年，2月5日p-n结的单向导电性在p-n结的p型区接电源正极，n区接负极阻挡层势垒被削弱、变窄，有利于空穴向n区运动，电子向p区运动，形成正向电流。p型n型IU（伏）I（毫安）O第37页，共61页，星期日，2025年，2月5日在p-n结的p型区接电源负极，n区接正极。阻挡层势垒增大、变宽，不利于空穴向n区运动，也不利于电子向p区运动。U(伏)I（微安）p型n型第38页，共61页，星期日，2025年，2月5日4、半导体的其他特征和应用热敏电阻半导体的电阻随温度的升高而指数下降，导电性能随变化十分灵敏。热敏电阻体积小、热惯性小、寿命长光敏电阻在可见光照射下，半导体硒的电阻随光强增加而急剧减小，但要求照射光的频率大于红限频率。第39页，共61页，星期日，2025年，2月5日温差电偶将两种不同的半导体组成回路，两个接头处于不同温度，回路中将产生温差电动势。n型p型热端冷端负载电流电流电势差增加，半导体内电场也增强，阻止载流子扩散，最后达到平衡。第40页，共61页，星期日，2025年，2月5日16-8超导电性1911年昂尼斯（K.Onnes）发现超导现象。一、超导的基本特性1、零电阻效应某些金属、合金及化合物的温度低于某一值时，电阻突然为零。说明：只有稳恒电流的情况下才有零电阻效应。超导体临界温度Tc第41页，共61页，星期日，2025年，2月5日2、迈斯纳效应（完全抗磁性）处于超导态的超导体内磁感应强度总为零。外磁场抗磁电流磁场总磁场第42页，共61页，星期日，2025年，2月5日3、临界磁场和临界电流超导态能被足够强的磁场所破坏。超导体所能承载的电流也受限制。超导材料只有满足下述条件才能处于超导态第43页，共61页，星期日，2025年，2月5日关于新技术的物理基础第1页，共61页，星期日，2025年，2月5日16-5激光原理LightAmplificationbyStimulatedEmissionofRadiationLaser——受激辐射光放大一、激光的基本原理1、自发辐射与受激辐射光与原子体系相互作用，同时存在吸收、自发辐射和受激辐射三种过程。第2页，共61页，星期日，2025年，2月5日自发辐射在没有任何外界作用下，激发态原子自发地从高能级向低能级跃迁，同时辐射出一光子。满足条件：h?=E2-E1随机过程，用概率描述N2——t时刻处于能级E2上的原子数——单位时间内从高能级自发跃迁到低能级的原子数第3页，共61页，星期日，2025年，2月5日A21——自发辐射概率（自发跃迁率）：表示一个原子在单位时间内从E2自发辐射到E1的概率自发辐射过程中各个原子辐射出的光子的相位、偏振状态、传播方向等彼此独立，因而自发辐射的光是非相干光。第4页，共61页，星期日，2025年，2月5日受激辐射处于高能级E2上的原子，受到能量为h?=E2-E1的外来光子的激励，由高能级E2受迫跃迁到低能级E1，同时辐射出一个与激励光子全同的光子。频率、相位、偏振态、传播方向等均同第5页，共61页，星期日，2025年，2月5日随机过程，用概率描述——单