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半導體雷射器*§2.2.1光學諧振腔與雷射器的閾值條件§2.2.1光學諧振腔與雷射器的閾值條件雷射器穩定工作的必要條件:(1)粒子數反轉產生增益(2)提供光的回饋:其中最簡單的是法布裏——珀羅腔圖2.2.1-1鐳射二極體的諧振腔注入電流有源區解理面解理面L增益介質R1R2z=0z=L第二章電光資訊轉換*§2.2.1光學諧振腔與雷射器的閾值條件只有當增益等於或大於總損耗時，才能建立起穩定的振盪，這一增益稱為閾值增益。為達到閾值增益所要求的注入電流稱為閾值電流。一個縱模只有在其增益大於或等於損耗時，才能成為工作模式，即在該頻率上形成鐳射輸出。有2個以上縱模激振的雷射器，稱為多縱模雷射器。通過在光腔中加入色散元件或採用外腔回饋等方法，可以使雷射器只有一個模式激振，這樣的雷射器稱為單縱模雷射器。*§2.2.2半導體雷射器的結構
§2.2.2半導體雷射器的結構最簡單的半導體雷射器由一個薄有源層（厚度約0.1μm）、P型和N型限制層構成，如圖2.2.2-1所示。圖2.2.2-1大面積半導體雷射器解理面金屬接觸電流有源層P型N型300μm100μm200μm*§2.2.2半導體雷射器的結構這樣的雷射器面積大，稱為大面積雷射器。為解決側向輻射和光限制問題，實際的雷射器採用了增益導引型和折射率導引型結構。一、增益導引型半導體雷射器解決光限制問題的一種簡單方案是將注入電流限制在一個窄條裏，這樣的雷射器稱為條形半導體雷射器，其結構如圖2.2.2-2所示。將一絕緣層介質(SiO2)澱積在P層上，中間敞開以注入電流。由於光限制是借助中間條形區的增益來實現的，這樣的雷射器稱為增益導引型半導體雷射器。*圖2.2.2-2增益導引型半導體雷射器二、折射率導引型半導體雷射器通過在側向採用類似異質結的設計而形成的波導，引入折射率差，也可以解決在側向的光限制問題，P-InPInGaAsPN-InPN+-InP襯底P-InGaAsP絕緣介質§2.2.2半導體雷射器的結構*這種雷射器稱為折射率導引型半導體雷射器。圖2.2.2-3折射率導引型半導體雷射器P-InPInGaAsP有源層N-InPN+-InP襯底接點SiO2SiO2§2.2.2半導體雷射器的結構*§2.2.3半導體雷射器特性§2.2.3半導體雷射器特性一、光譜特性圖2.2.3-1為GaAIAs雙異質結雷射器的光譜特性。832830828826824832830828826824832830828826824驅動電流增大→→圖2.2.3-1GaAIAs雙異質結雷射器的光譜特性示意圖波長取決於雷射器的光學腔長，稱為雷射器的縱模*§2.2.3半導體雷射器特性2當驅動電流足夠大時，多縱模變為單縱模，稱為當驅動電流足夠大時，多縱模變為單縱模，稱為靜態單縱模雷射器。二、雷射光束的空間分佈近場是指雷射器反射鏡面上的光強分佈，遠場是指離反射鏡面一定距離處的光強分佈。由於鐳射腔為矩形光波導結構，因此近場分佈表徵其橫模特性，在平行於結平面的方向，光強呈現週期性的空間分佈，稱為多橫模；在垂直於結平面的方向，由於諧振腔很薄，這個方向的場圖總是單橫模。*圖2.2.3-2為典型LD的遠場輻射特性圖2.2.3-2為典型LD的遠場輻射特性，圖中與分別為平行於結平面和垂直於結平面方向的輻射角，整個光束的橫截面呈橢圓形。1.00.80.60.40.20發射光功率P/mW804004080輻射角θ(度)相對光強§2.2.3半導體雷射器特性
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