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大晶格失配与异价条件下Si与Ⅲ-Ⅴ族半导体带阶直接计算方法及应用研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术步入后摩尔时代，Si基光电集成成为了研究热点，受到人们的高度关注。在Si基光电集成领域，将Si与Ⅲ-Ⅴ族半导体相结合具有重要意义。以InP、GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ族半导体，凭借其优异的光学性能，如高的光发射效率、直接带隙特性等，在发展Si基Ⅲ-Ⅴ族激光器方面展现出独特优势，为实现高效的硅基光发射器件提供了可能。目前，Si基Ⅲ-Ⅴ族激光器已实现室温激发，这是该领域的一个重要突破。

器件性能与异质结界面的载流子束缚情况紧密相关。若能使异质结中的载