模电与数电总复习题(期末考试复习题).pdfVIP

模拟电路与数字电路总复习题

一、判断题：(每题2分)

()1、通过半导体中的电流为电子电流与空穴电流和。V

()2、在本征半导体中掺入少量的硼元素，可以形成N型半导体，它的多子

是自由电子。X

()3、PN结内电场方向由N区指向P区，N区的电位要高于P区的电位。

()4、半导体二极管具有单向导电的重要特性，它的反向电流越大，说明管

子的单向导电性越好。X

()5、场效应管与晶体三极管一样，它们都是电流控制的电子器件。X

()6、场效应管与晶体三极管一样，它们只有一种载流子参与导电。X

()7、串联负反应可以减小输入电阻，而并联负反应可以提高输入电阻。X

()8、乙类功率放大器的工作效率高于甲类功率放大器。X

()9、共模放大倍数越大，差模放大倍数越小，那么共模抑制比越大，放大

器的性能越好。X

()10、设A、B、C为逻辑变量，假设A+8=A+C,那么B=C。X

()11、假设两个函数具有相同的真值表，那么两个逻辑函数必然相等。V

()12、假设两个函数具有不同的表达式，那么两个逻辑函数必然不相等。X

()13、组合电路在逻辑功能上的特点是：电路任一时刻的输出仅取决于该时

刻的输入状态，而与电路前一时刻的状态无关。V

()14、时序逻辑电路的特点是：任意时刻的输出不仅取决十该时刻输入逻辑

变量的状态，而且还与电路原来的状态有关，因此该时序逻辑电路具有记忆功能。V

()15、数字信号和模拟信号的不同处是：数字信号在大小和时间上沟连续,

而模拟信号那么相反。X

二、选择题：(每题2分)

1、N型半导体(C)o

A：带正电B：带负电C：呈中性

2、在常温下，流过二极管的正向电流与其两端的外加电压1B）o

A：几乎无关B：近似按指数规律上升C：线性关系

3、采用图解法分析根本放大器的静态特性时，必须画出晶体管特性曲线和（A）,

所求两者交点即为Q点。

A：直流负载线B：交流负载线C：转移特性曲线

4、设计一个放大电路，为保证输出电流稳定，信号源内阻的影响小，应采用（B）

的负反应。

A：串联电压负反应B：串联电流负反应

C：并联电压负反应D：并联电流负反应

三、填空题：每（题4分）

1、三极管的状态要求：发射结电压正偏，集电结电压反偏。放（大）

2、根据掺入杂质的性质不同，可以分为_____型半导体和______型半导体。如果掺入

杂质是磷元素，将形成_____型半导体，其中多子是________________oP（NN

自由电子〕

3、通过半导体中的电流为电流与电流之和。（电子空穴）

4、三极管具有三连接方式的放大电路，它们是、

、o共（射极电路共集电极电路共基

极电路）

5、场效应管是___________控制的电子器件；晶体三极管是__________