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摘要
摘要
随着传统的硅基材料在集成电路设计中的等比例微缩化的制造技术接近极
限，摩尔定律面临失效。以过渡族金属硫属化合物半导体为代表的新型二维层
状材料材料具有优异的电学传输性能，在先进制程逻辑电子器件领域展现出光
明的应用潜力，而对其力学性能的研究是其走向应用的重要一步。因此，本文
选择二维各向同性的MoS以及各向异性的TiS、α-MoO纳米片作为代表，
233
通过AFM实验测量并结合第一性原理的理论计算，对它们的力学性能进行了
深入的探究。
本文采用气相生长技术制得二维MoS、TiS、α-MoO纳米片，并探究了
233
最佳纳米片的生长工艺参数；对通过角偏振拉曼光谱对二维纳米片特征峰拉曼
强度的变化可得二维纳米片在凹槽基底上偏转角度；利用AFM的峰值力轻敲
模式对纳米片定点进行力学测量，得到二维MoS纳米片扶手椅型（x）方向
2
273.003.10GPay277.604.04GPa
杨氏模量为，锯齿型（）方向杨氏模量为，
具有各向同性的力学特征；二维TiS纳米片在x方向的杨氏模量为
3
127.40±13.50GPay209.90±13.60GPa
，在方向的杨氏模量为，具有比较明显
α-MoOx42.006.30GPa
的各向异性特征；二维3纳米片在方向的杨氏模量为±，
在y方向的杨氏模量为82.50±8.20GPa，具有明显的各向异性特征。
为了进一步探索低对称性二维材料的力学性能，本文利用密度泛函理论，
通过VASP软件进行理论计算，对单层MoS、TiS的基本力学性能以及层数
23
与空位缺陷对力学性能的影响进行研究。结果表明，理论计算的单层MoS面
2
内刚度为138.70N/m，泊松比为0.24，计算所得杨氏模量范围是
217.00~414.00GPa，而单层TiS面内刚度扶手椅型方向为82.17N/m，锯齿
3
型方向135.75N/m，泊松比v0.10，v0.16；杨氏模量范围是
xy
E120.48~133.61GPaE199.05~220.73GPa
x，y，基本符合实验测量数值。对
于少层TiS不同拉伸方向上的面内刚度随层数的增加而增加，泊松比随层数
3
增加而增加，但是杨氏模量的随着层数的增加而减小。MoS的单硫空位是的
2
形成能最低，最容易产生，而钼原子空位由于形成能高且位于中间层，产生可
能性较低。由于各类空位缺陷的存在，会显著降低MoS与TiS
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