二维二元化合物中光伏效应光电流的第一性原理研究.pdfVIP

详细中文摘要

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开发和利用太阳能是解决环境污染、满足日益增长的能源需求问题的重要

思路，太阳能光伏电池的研究和设计也因此吸引了众多国内外研究者的广泛关

注。以硅为代表的半导体异质结型光伏电池开发最早、技术也最为成熟,但其

光电转换机制决定其转换效率不能突破Shockley-Queisser极限。在同质非中心

对称材料中，由于晶格势中运动的光生载流子具有不对称的速率将导致体光伏

效应(BPVE)移位电流的形成，从而克服Shockley-Queisser限制。为了实现体

光伏效应的可测量光电流，寻找可能具有大位移光电流的材料并探索各种位移

光电流增强方案是持续关注的热点。本文采用第一原理计算对新型二维铁电体

(α-AsP,α-NP)中二阶非线性响应导致的移位电流机理、外加激励对二维IV族

硫化物（施加应力于α-GeS,α-SnS）、V族二元化合物（施加电场于α-SbP）、

奇异原子排列（垂直堆叠范德瓦尔斯异质结h-BN,β-GeS）的非线性响应进行了

系统研究，提出了设计和调控二维光伏材料的合理方案。本论文主要研究内容

如下：

1α-AsPα-NP

（）在单层二维和结构中观察到了巨大的、各向异性的线

性光伏效应所诱导产生的光电流响应，它所表现出的几个峰值均位于光能量范

围之内。计算结果表明，自旋轨道耦合并没有明显改变这两种二元化合物的能

带结构特征，因此我们认为其对光电流光谱的影响程度可忽略不计。而两种二

维单层材料在面内感应能力所展示出的强烈移位光电流响应是本研究工作的亮

点。在紫外波段，单层二维α-AsP结构的峰值达到-154µАV-2，与单层二维α-GeS

结果相近，但大于单层α-SnS。同样的，单层二维α-NP结构的最大峰值可达到

87µАV-2，其在可见光范围内的移位电流比大多数已知的三维铁电材料要强得

多。另外，对于大位移光电流响应峰的预测同样很重要，因为它是实现大短路

电流的重要指标。这两个二维单层结构的响应跨越了较宽光子能量范围，它们

可作为宽频率范围内实现强体光伏效应的候选材料。对于二维,α-AsP和α-NP

单层，另一个显著的特征是具有大的各向异性面内光电流，主要归因于其具有

线性光的布里渊区的不同谷泵浦。由于这些突出特性，我们认为二维α-AsP和

α-NP材料可作为非线性光学器件潜在候选者。

2α-GeSα-SnS2D

（）我们研究了具有面内偶极的两种典型二维材料和单

-I-

哈尔滨工业大学理学博士学位论文

层应力调控的光伏特征。研究结果发现，所施加的等轴压缩应变可使化合物带

隙减小，并且还具有驱动本征零偏置光电流峰值红移及幅度增加的特性。移位

p

光电流的明显增强是能带特征迅速演变为高度离域的轨道的结果，对移位光

z

电流有贡献的激发态主要是由高度离域轨道的叠加构成的。此外，移位光电流

的增强来自于键长的减少，由于压缩应变的增加导致键更强，从而增加了动量

矩阵元素的大小。另一方面，施加的等轴拉伸应变的增加导致两个单层化合物

的移位光电流光谱的增强和蓝移以及方向的翻转。例如，在施加-4%到-12%的压

缩应变时，在整个光谱上可观察到方向的翻转，尤其是在1.7-2.2eV的光子能

量区域内更为明显。这种光电流方向翻转的突出变化使我们有机会利用应变作

为一个可控手段来设计光电流的方向。

3

（）通过第一原理计算计算，我们发现垂直AB堆叠的二维双层h-BN和

β-GeS同源结构能表现出大