高亮度LED封装的关键技术.pptVIP

高亮度LED封装的关键技术

散热;1.LED散热技术的开展;依据haitz定律的推论，亮度达100lm/w〔每瓦发出100流明〕的led约在2008年～2010年间出现，不过实际的开展似乎已比定律更超前，2006年6月日亚化学工业〔nichia〕已经开始提供可达100lm/w白光led的工程样品，预计年底可正式投入量产。Haitz定律可说是led领域界的moore定律，根据rolandhaitz的表示，过去30多年来led几乎每18～24个月就能提升一倍的发光效率，也因此推估未来的10年〔2003年～2013年〕将会再成长20倍的亮度，但价格将只有现在的1/10。

不仅亮度不断提升，led的散热技术也一直在提升，1992年一颗led的热阻抗〔thermalresistance〕为360℃/w，之后降至125℃/w、75℃/w、15℃/w，而今已是到了每颗6～10℃/w的地步，更简单说，以往led每消耗1瓦的电能，温度就会增加360℃，现在那么是相同消耗1瓦电能，温度却只上升6～10℃。;2.高亮度LED增热的原因;;;3.为什么要解决散热问题

散热问题不解决有哪些副作用？;倘假设不解决散热问题，而让led的热无法排解，进而使led的工作温度上升，如此会有什么影响吗？关于此最主要的影响有二：

(1)发光亮度减弱；

(2)使用寿命衰减。;举例而言，当led的p-n接面温度〔junctiontemperature〕为25℃典型工作温度〕时亮度为100，而温度升高至75℃时亮度就减至80，到125℃剩60，到175℃时只剩40。很明显的，接面温度与发光亮度是呈反比线性的关系，温度愈升高，led亮度就愈转暗。

温度对亮度的影响是线性，但对寿命的影响就呈指数性，同样以接面温度为准，假设一直保持在50℃以下使用那么led有近20,000小时的寿命，75℃那么只剩10,000小时，100℃剩5,000小时，125℃剩2,000小时，150℃剩1,000小时。温度光从50℃变成2倍的100℃，使用寿命就从20,000小时缩成1/4倍的5,000小时，伤害极大。;裸晶层：光热一体两面的发散源头;以lumiledslighting公司的luxeon系列led为例，tj接面温度为25℃，顺向驱动电流为350ma，如此以ingan而言，随着波长〔光色〕的不同，其效率约在5%～27%之间，波长愈高效率愈低〔草绿色仅5%，蓝色那么可至27%〕，而alingap方面也是随波长而有变化，但却是波长愈高效率愈高，效率大体从8%～40%〔淡黄色为低，橘红最高〕。;从lumileds公司luxeon系列led的横切面可以得知，硅封胶固定住led裸晶与裸晶上的荧光质〔假设有用上荧光质的话〕，然后封胶之上才有透镜，而裸晶下方用焊接〔或导热膏〕与硅子镶嵌芯片〔siliconsub-mountchip〕连接，此芯片也可强化esd静电防护性，往下再连接散热块，局部led也直接裸晶底部与散热块相连。lumileds公司luxeon系列led的裸晶采行覆晶镶嵌法，因此其蓝宝石基板变成在上端，同时还参加一层银质作为光反射层，进而增加光取出量，此外也在siliconsubmount内制出两个基纳二极管〔zenerdiode〕，使led获得稳压效果，使运作表现更稳定。;4.高亮度LED封装散热的关键技术;4.1在裸晶层增加散热：基板材料、覆晶式镶嵌;先说明基板局部，基板的材料并不是说换就能换，必须能与裸晶材料相匹配才行，现有algainp常用的基板材料为gaas、si，ingan那么为sic、sapphire〔并使用aln做为缓冲为了强化led的散热，过去的fr4印刷电路板已不敷应付，因此提出了内具金属核心的印刷电路板，称为mcpcb，运用更底部的铝或铜等热传导性较佳的金属来加速散热，不过也因绝缘层的特性使其热传导受到假设干限制。对光而言，基板不是要够透明使其不会阻碍光，就是在发光层与基板之间再参加一个反光性的材料层，以此防止“光能”被基板所阻碍、吸收，形成浪费，例如gaas基板即是不透光，因此再参加一个dbr〔distributedbraggreflector〕反射层来进行反光。而sapphire基板那么是可直接反光，或透明的gap基板可以透光。;除此之外，基板材料也必须具备良好的热传导性，负责将裸晶所释放出的热，迅速导到更下层的散热块〔heatslug〕上，不过基板与散热块间也必须使用热传导良好的介接物，如焊料或导热膏。同时裸晶上方的环氧树脂或硅树脂〔即是指：封胶层〕等也必须有一定的耐热能力，好因应从p-n接面开始，传导到裸晶外表的温度。

除了强化基板外，另一种作法是覆晶式镶嵌