基于三维TCAD仿真剖析TFET器件ESD防护性能：理论、应用与优化策略.docx

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2025-05-31 发布于上海
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基于三维TCAD仿真剖析TFET器件ESD防护性能：理论、应用与优化策略

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今数字化时代，电子设备已广泛渗透到人们生活和工作的各个方面，从智能手机、平板电脑等移动设备，到计算机、服务器等大型电子系统，它们的性能和可靠性直接影响着人们的生活质量和工作效率。然而，随着电子设备的高度集成化和微型化发展，静电放电（Electro-Static-Discharge，ESD）对其造成的威胁日益严重。

ESD是指具有不同静电电位的物体互相靠近或直接接触引起的电荷转移现象，这种电荷的瞬间转移会产生极高的电压和电流，其过程通常伴随着强电场和电磁辐射。ESD产生的