氮化硼点缺陷与InAs单量子点应力光谱特性及应用研究.docx

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2025-06-02 发布于上海
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氮化硼点缺陷与InAs单量子点应力光谱特性及应用研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代材料科学的广袤领域中，氮化硼（BN）和砷化铟（InAs）单量子点凭借其独特且卓越的物理性质，占据着举足轻重的地位，吸引了全球科研人员的广泛关注与深入研究。

氮化硼，作为一种由硼（B）和氮（N）原子构成的化合物，展现出丰富多样的晶体结构，其中六方氮化硼（h-BN）和立方氮化硼（c-BN）最为常见。h-BN，因其结构与石墨类似，常被称作“白色石墨”，具备出色的润滑性、良好的电绝缘性以及卓越的高温稳定性。在高温窑炉的耐火材料、电子器件的绝缘散热领域，h-BN都有着不可或缺的应用，是确保