微米Cu@In高温钎料制备及焊接性能研究.pdfVIP

摘要

摘要

大功率电子器件目前应用日益广泛，在高铁、新能源汽车、高压输电等领

域逐渐崭露头角，更加严苛的工作环境对芯片提出了更高的要求，要求芯片的

服役温度、功率密度相应提高。以SiC、GaN为主的第三代宽禁带半导体日益

发展，在高功率电子器件中的应用也逐渐提高。但是，与传统Si半导体相匹配

的封装材料难以适应第三代半导体的高温工作环境，成为第三代半导体应用于

大功率电子器件的短板。本文致力于研究一种能够实现低温连接、高温服役的

微米Cu@In核壳高温钎料应用于功率器件的封装。

选用微米Cu球是因为Cu具有良好的导电导热性及力学性能，能够实现芯

片的机械支撑和散热。但是Cu极易氧化，所以在微米Cu球表面镀覆一层In

壳，不仅可以防止Cu核的氧化，而且Cu、In的熔点差给低温连接、高温服役

提供了可能性。

首先采用化学镀方式利用氧化还原反应进行In层在微米Cu球上的镀覆，

制备出微米Cu@In核壳颗粒，并利用XRD、SEM、EDS手段对核壳颗粒形貌

进行表征。结果表明：当溶液pH为8-9、反应物质量比Cu:In(SO)=6:1、反应

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时间为10min时，得到包覆均匀抗氧化的Cu@In核壳颗粒。

将微米Cu@In颗粒与微米In粉均匀混合制备含In粉量分别为0wt%、

50wt%、80wt%的焊膏，在相同热压条件下焊接，焊后含In粉量50wt%的焊接

接头均匀致密，确定质量比Cu@In:In=1:1为焊膏的最佳配比。探究了含In粉

量50wt%的焊膏热压焊接温度、压力、时间对接头性能的影响，研究结果表明，

在温度较低时，Cu向液态In中扩散生成CuIn，时间延长逐渐生成高熔点相

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CuIn。在温度350℃压力8MPa下焊接30min得到致密度最好、强度最高的焊

2

接接头，剪切强度最高可达到16.7MPa。此时焊缝中的组织大部分为金属间化

合物CuIn，该相熔点达到600℃以上，满足功率器件高温服役的要求。

2

为了解决微米Cu@In混合焊膏在热压焊接中出现的孔洞问题，提出将无需

添加助焊剂无孔洞缺陷的预制片用于焊接。制备得到含In粉量0wt%、50wt%、

80wt%的预制片，选取焊后孔隙率最低的含In粉量50wt%的预制片进行热压焊

接确定最佳参数，最后确定焊接温度350℃压力10MPa时间30min为预制片焊

接的最佳工艺参数，在此工艺参数下获得的焊接接头组织成分为均一优质相

CuIn，平均剪切强度可达到22MPa，高于同种成分焊膏焊接的强度。

2

关键词:微米Cu@In核壳；焊膏；预制片；热压焊接

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哈尔滨工业大学硕士学位论文

Abstract

High-powerelectronicdevicesareincreasinglybeingutilizedinvariousfields

suchashigh-speedrail,newenergyvehicles,andhigh-voltagepowertransmission.

Thedemandingoperatingenvironmentsrequirechipstomeethighertemperatureand

powerdensityrequirements.Thedevelopmentofthird-generationwidebandgap

semi