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摘要
随着集成电路(IC)产业的不断发展，技术节点不断降低，铜因其优异的性能被
广泛应用在互连工艺中，IC产业对铜表面平坦化也提出了更高的技术要求。化学机
械抛光(CMP)作为平坦化的主要工艺技术，在化学和机械的共同作用下，实现铜表
面局部及全局平坦化。然而，铜在CMP后会产生过度腐蚀等问题，常采用抛光液中
添加缓蚀剂的方法来抑制铜表面化学腐蚀。但是缓蚀剂产生的有机残留会影响器件
的稳定性和可靠性，因此，通过浓度调节使缓蚀剂与其它试剂达到化学平衡，并建
立完整的CMP后清洗
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