模拟电子技术基础课后答案(完整版).docx

第三部分习题与解答

习题1

客观检测题

一、填空题

1、在杂质半导体中,多数载流子得浓度主要取决于掺入得杂质浓度,而少数载流子得浓度则与温度有很大关系。

２、当PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。当外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层变宽。

3、在Ｎ型半导体中,电子为多数载流子,空穴为少数载流子。

二、判断题

１、由于Ｐ型半导体中含有大量空穴载流子,Ｎ型半导体中含有大量电子载流子,所以Ｐ型半导体带正电，N型半导体带负电。（×)

2、在N型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P型半导体。(√)

３、扩散电流就就是由半导体得杂质浓度引起得,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。(×)

4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。(×)

5、PＮ结在无光照无外加电压时,结电流为零。（√)

6、温度升高时,PN结得反向饱和电流将减小。(×）

7、PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。(×)

三、简答题

1、PN结得伏安特性有何特点?

答：根据统计物理理论分析,PN结得伏安特性可用式表示。

式中,ＩD为流过ＰN结得电流；Iｓ为PN结得反向饱和电流,就就是一个与环境温度和材料等有关得参数,单位与I得单位一致;V为外加电压；ＶT＝ｋT/q,为温度得电压当量(其单位与V得单位一致),其中玻尔兹曼常数，电子电量，则,在常温(T=300Ｋ)下,ＶT=25、875mV=26mV。当外加正向电压,即V为正值,且V比VT大几倍时，,于就就是，这时正向电流将随着正向电压得增加按指数规律增大,PN结为正向导通状态、外加反向电压,即Ｖ为负值,且|V|比VT大几倍时,,于就就是，这时PN结只流过很小得反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN结呈反向截止状态。PN结得伏安特性也可用特性曲线表示,如图1、１、１所示、从式（1、１、１)伏安特性方程得分析和图1、1、1特性曲线(实线部分)可见：PＮ结真有单向导电性和非线性得伏安特性。

图1.1.1

图1.1.1P

２、什么就就是PN结得反向击穿？ＰN结得反向击穿有哪几种类型？各有何特点？

答:“PN”结得反向击穿特性:当加在“PN”结上得反向偏压超过其设计得击穿电压后,PN结发生击穿。

PN结得击穿主要有两类,齐纳击穿和雪崩击穿。齐纳击穿主要发生在两侧杂质浓度都较高得PN结,一般反向击穿电压小于4Eg/q(Eg—PＮ结量子阱禁带能量，用电子伏特衡量，Eg/q指ＰN结量子阱外加电压值,单位为伏特)得PＮ得击穿模式就就就是齐纳击穿，击穿机理就就就是强电场把共价键中得电子拉出来参与导电,使得少子浓度增加,反向电流上升。

雪崩击穿主要发生在“PN”结一侧或两侧得杂质浓度较低“PN”结,一般反向击穿电压高于6Eｇ／ｑ得“PN”结得击穿模式为雪崩击穿。击穿机理就就就是强电场使载流子得运动速度加快,动能增大,撞击中型原子时把外层电子撞击出来,继而产生连锁反应,导致少数载流子浓度升高，反向电流剧增。

3、PN结电容就就是怎样形成得?和普通电容相比有什么区别？

PN结电容由势垒电容Ｃb和扩散电容Cｄ组成。

势垒电容Cb就就是由空间电荷区引起得。空间电荷区内有不能移动得正负离子,各具有一定得电量。当外加反向电压变大时,空间电荷区变宽,存储得电荷量增加;当外加反向电压变小时,空间电荷区变窄，存储得电荷量减小,这样就形成了电容效应。“垫垒电容”大小随外加电压改变而变化,就就是一种非线性电容，而普通电容为线性电容。在实际应用中,常用微变电容作为参数,变容二极管就就就是势垒电容随外加电压变化比较显著得二极管。

图1.3.3P区中电子浓度得分布曲线及电荷得积累扩散电容Ｃｄ就就是载流子在扩散过程中得积累而引起得。PN结加正向电压时,Ｎ区得电子向P区扩散,在P区形成一定得电子浓度(Np)分布，ＰN结边缘处浓度大，离结远得地方浓度小,电子浓度按指数规律变化。当正向电压增加时,载流子积累增加了△Q;反之，则减小,如图1、3、３所示。同理,在N区内空穴浓度随外加电压变化而变化得关系与P区电子浓度得变化相同。因此，外加电压增加△V时所出现得正负电荷积累变化△Q，可用扩散电容C

图1.3.3P区中电子浓度得分布曲线及电荷得

综上可知,势垒电容和扩散电容就就是同时存在得。PN结正偏时,扩散电容远大于势垒电容；PN结反偏时,扩散电容远小于势垒电容。势垒电容和扩散电容得大小都与PN结面积成正比。与普通电容相比，PN结电容就就是非线性得分布电容,而普通电容为线性电容。

习题2

客观检测题

一、填空题

1、半导体二极管当正偏时,势垒区变窄，扩散电流大于漂移