基于CVD法的高质量单层氮化硼薄膜制备与介电屏蔽特性探究.docx

基于CVD法的高质量单层氮化硼薄膜制备与介电屏蔽特性探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学的前沿领域，二维材料以其独特的原子结构和优异的物理化学性质，成为了研究的热点。氮化硼薄膜作为二维材料家族中的重要成员，近年来受到了广泛的关注。氮化硼（BN）是一种由硼原子和氮原子组成的无机化合物，具有多种晶体结构，其中六方氮化硼（h-BN）因其结构与石墨相似，又被称为“白色石墨”，呈现出层状结构，层内硼原子和氮原子通过共价键紧密连接，而层与层之间则依靠较弱的范德华力相互作用。这种特殊的结构赋予了h-BN许多独特的性质，使其在众多领域展现出巨大的应用潜力。

从物理性质上看，氮化硼