《芯片封装凸点高度测量方法 光学三角法》.pdfVIP

ICS31.080.01

CCSL55

ZOIA

中关村光电产业协会团体标准

T/XXXXXXX—XXXX

芯片封装凸点高度测量方法光学三角法

Heightmeasurementmethodofbumpsinchippackagingopticaltriangulation

method

（征求意见稿）

在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

中关村光电产业协会  发布

T/XXXXXXX—XXXX

目次

前言II

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4测量原理2

5测量设备错误！未定义书签。

6测量要求4

7测量方法4

8测量结果的不确定度评定7

参考文献10

凸点高度测量误差不确定度评定示例11

I

T/XXXXXXX—XXXX

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

本文件由中国科学院微电子研究所提出。

本文件由中关村光电产业协会归口。

本文件起草单位：

中国科学院微电子研究所

中机生产力促进中心有限公司

深圳中科飞测科技股份有限公司

华天科技（昆山）电子有限公司

华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

机械工业仪器仪表综合技术经济研究所

天津大学

中国计量大学

本文件主要起草人：

张滋黎，周维虎，王启东，于中尧，孟繁昌，陈晓梅，董登峰,李根梓，潘康华，陈杰,张鹏斌，

刘健鹏，洪艮超，顾玥,马书英，王娇，刘轶,孙鹏，刘欢，王瑞娟，王浩，余航,宋彦彦，林嘉睿，

杨凌辉,沈小燕

II

T/XXXXXXX—XXXX

芯片封装球形凸点高度测量方法白光三角法

1范围

本文件规定了利用光学三角法进行芯片封装凸点高度测量的测量原理、测量设备、测量环境、测量

要求、测量步骤和测量结果的不确定度评定等内容。

本文件适用于多种半导体材料上芯片封装凸点高度的测量。凸点顶部形状包括但不限于球形和平顶

等。凸点高度范围为10-450μm。凸点表面材质为多种不同金属，如Au，Cu，Sn，In等纯金属，或者Pb-Sn、

Au-Sn、Ag-Sn、Sn-Cu、Ag-Sn-Cu等共晶或高熔点合金等，凸点表面材料反射率＞90%。凸点基底材料为

陶瓷、金属或聚酰亚胺。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T14113-1993半导