微电子器件基础知到智慧树期末考试答案题库2025年湖南理工学院.docx

微电子器件基础知到智慧树期末考试答案题库2025年湖南理工学院

鳍式场效应晶体管利用立体栅结构有效缓解了平面器件中的短沟道效应，成功抑制了沟道漏电流（）

答案:对

随着晶体管尺寸的不断减小，沟道中的漏电流问题越发严重（）

答案:对

防止基区穿通的措施有（）

答案:增大基区宽度；增大基区掺杂浓度

防止双极晶体管基区穿通的措施是增大基区宽度和基区掺杂浓度（）

答案:对

阈值电压VT的短沟道效应是指，当沟道长度缩短时，VT变小。（）

答案:对

金属-半导体场效应晶体管属于单极型器件，是利用少数载流子导电的器件。（）

答案:错

金属-半导体场效应晶体管与结型场效应晶体管工作原理相同，只是用