DB13T 1828-2013 太阳能级类单晶硅片.docxVIP

ICS29.045

H82

DB13

河北省地方标准

DB13/T1828—2013

太阳能级类单晶硅片

Quasi-monocrystallinesiliconsolarwafers

2013-12-02发布2013-12-20实施

河北省质量技术监督局发布

I

DB13/T1828—2013

前言

本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。

本标准由保定市质量技术监督局提出。

本标准起草单位：英利能源（中国）有限公司。

本标准主要起草人员：张运锋、孟庆超、尹青松、张晓芳、高文宽、潘明翠。

DB13/T1828—2013

1

太阳能级类单晶硅片

1范围

本标准规定了太阳能级类单晶硅片的分类、要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。本标准适用于太阳能级类单晶硅片。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T191包装储运图示标志

GB/T1552硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法

GB/T1553硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划GB/T14264半导体材料术语

GB/T25074太阳能级多晶硅

GB50034-2004建筑照明设计标准

DB13/T1633-2012太阳能级多晶硅片

3定义和术语

GB/T14264、GB/T25074和DB13/T1633界定的及下列术语和定义适用于本文件。为了便于使用，以下重复列出了DB13/T1633的术语和定义。

3.1

类单晶硅片quasi-monocrystallinesiliconwafers

由类单晶硅锭进行加工得到的，并且单晶比例大于80%的硅片称为类单晶硅片。

3.2

单晶比例percentageofthesinglegrain

类单晶硅片表面最大晶粒的面积与硅片表面积的比值，可以用百分比形式表示。

3.3

翘曲度warpage

硅片表面扭曲的形变量与中心轴之间的差值。

3.4

2

DB13/T1828—2013

亮线brightline

硅片表面锯痕深度小于20μm，肉眼可分辨的亮度明显高于正常硅片表面颜色的轻微锯痕。3.5

崩边edgechip

硅片边缘呈现的单面局部破损。一般用宽度（见图1中a）、延伸度（见图1中h）表示。

hh

h

a

a

h

ha

a

a

ha

崩边或缺口

a宽度

h延伸度

图1崩边、缺口示意图

3.6

缺口breakage

硅片边缘呈现贯穿正反两面的局部破损。一般宽度（见图1中a）、延伸度（见图1中h）表示。

4分类

4.1按单晶比例分类

类单晶硅片按单晶比例分为一类片和二类片。

4.2按产品质量分类

类单晶硅片按外观、规格尺寸和电学特性分为一级品和二级品。

5质量技术要求

5.1单晶比例

一类片：单晶比例≥98%的类单晶硅片。

二类片：单晶比例＜98%且≥80%的类单晶硅片。

5.2品级要求

5.2.1外观

外观要求见表1。

DB13/T1828—2013

3

表1外观要求

项目

要求

一级品

二级品

崩边(宽度a/mm，延伸度h/mm)

a≤1且h≤1，个数不限

a1或h1，个数不限

缺口(宽度a/mm，延伸度h/mm)

a≤0.1且h≤0.1，个数不限

锯痕深度/μm

≤20

20且≤40

微晶最大横径/mm

0

＜30

翘曲度/μm

≤100

≤100

亮线

亮线面积≤硅片面积的四分之

亮线面积硅片面积的四分之一，且≤硅片面积的二分之一

弯曲度/μm

≤100

表面质量

表面平整，无裂纹、孔洞、杂质等；表面洁净、无沾污、手印等

表面平整，无裂纹、孔洞、杂质等；

表面沾污面积≤硅片总面积的5%，但

不允许有油污

5.2.2规格尺寸

规格尺寸要求见表2。

表2规格尺寸要求

项目

要求

一级品

二级品

规格

156mm×156mm，或由供需双方商定规格

156mm×156mm，或由供需双方商定规格

硅片厚度偏差/μm

210

30

20