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半导体公司笔试题(答案)

一、选择题（每题3分，共30分）

1.以下哪种半导体材料常用于制造集成电路芯片？（）

A.硅（Si）

B.锗（Ge）

C.砷化镓（GaAs）

D.碳化硅（SiC）

答案：A

解析：硅是目前制造集成电路芯片最常用的半导体材料。硅具有丰富的储量、良好的热稳定性和电学性能，而且易于加工和制造工艺成熟。锗曾经也用于早期的半导体器件，但由于其热稳定性较差等原因，逐渐被硅取代。砷化镓常用于高频、高速器件，碳化硅主要用于高压、高温、高频等特殊应用领域，它们的应用范围相对硅来说较窄。

2.在半导体中，本征激发产生的载流子是（）。

A.自由电子

B.空穴

C.自由电子和空穴

D.离子

答案：C

解析：本征半导体是完全纯净的、具有晶体结构的半导体。在一定温度下，本征半导体中的价电子获得足够的能量，挣脱共价键的束缚成为自由电子，同时在原来的共价键位置上留下一个空位，这个空位就称为空穴。所以本征激发会同时产生自由电子和空穴这两种载流子。

3.P型半导体中的多数载流子是（）。

A.自由电子

B.空穴

C.离子

D.中子

答案：B

解析：P型半导体是在本征半导体中掺入三价杂质元素（如硼）形成的。三价杂质原子与周围的硅原子形成共价键时，会缺少一个电子，从而产生一个空穴。因此，P型半导体中的空穴数量远多于自由电子数量，空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。

4.二极管的正向导通压降，硅管约为（），锗管约为（）。

A.0.7V，0.3V

B.0.3V，0.7V

C.1V，0.5V

D.0.5V，1V

答案：A

解析：这是硅二极管和锗二极管的基本特性。硅二极管的正向导通压降一般在0.60.8V之间，通常取0.7V；锗二极管的正向导通压降一般在0.20.4V之间，通常取0.3V。

5.以下哪种晶体管结构是场效应晶体管（FET）的基本结构？（）

A.发射极、基极、集电极

B.源极、栅极、漏极

C.阳极、阴极、控制极

D.正极、负极、中性极

答案：B

解析：场效应晶体管有三个电极，分别是源极（S）、栅极（G）和漏极（D）。源极是载流子的发源地，漏极是载流子的汇集地，栅极用于控制沟道中载流子的流动。而发射极、基极、集电极是双极型晶体管（BJT）的三个电极；阳极、阴极、控制极是晶闸管的电极；正极、负极、中性极不是常见半导体器件的电极名称。

6.数字电路中，与门的逻辑表达式是（）。

A.Y=A+B

B.Y=A·B

C.Y=A

D.Y=A⊕B

答案：B

解析：与门是一种基本的逻辑门电路，只有当所有输入信号都为高电平时，输出才为高电平。其逻辑表达式为Y=A·B，其中A、B是输入变量，Y是输出变量。A+B是或门的逻辑表达式；A是非门的逻辑表达式；A⊕B是异或门的逻辑表达式。

7.半导体存储器中，ROM是指（）。

A.随机存取存储器

B.只读存储器

C.动态随机存取存储器

D.静态随机存取存储器

答案：B

解析：ROM是ReadOnlyMemory的缩写，即只读存储器。它的特点是在正常工作时只能读出数据，不能写入数据，常用于存储固定的程序和数据。随机存取存储器（RAM）包括动态随机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器（SRAM），它们可以随时读写数据。

8.集成电路制造工艺中，光刻的主要目的是（）。

A.去除杂质

B.生长半导体薄膜

C.定义电路图形

D.提高芯片的散热性能

答案：C

解析：光刻是集成电路制造中非常关键的一步工艺。它通过光刻胶、掩膜版等工具，将设计好的电路图形转移到半导体晶圆表面，为后续的蚀刻、掺杂等工艺提供图形基础，从而定义出芯片上的各种电路结构。去除杂质一般通过清洗、蚀刻等工艺；生长半导体薄膜有化学气相沉积等专门的工艺；提高芯片的散热性能主要通过散热材料和封装设计等方法。

9.以下哪种现象会导致半导体器件的性能下降甚至失效？（）

A.温度过高

B.光照强度适中

C.湿度较低

D.工作电压稳定

答案：A

解析：温度过高会对半导体器件产生多种不良影响。例如，温度升高会使半导体中的本征激发加剧，导致载流子浓度增加，从而影响器件的电学性能；还可能会使材料的热膨胀系数不同，引起机械应力，导致器件结构损坏。光照强度适中一般不会对普通半导体器件造成太大影响；湿度较低通常有利于半导体器件的稳定工作；工作电压稳定是保证器件正常工作的重要条件。

10.一个N位的二进制计数器，其最大计数值是（）。

A.2^N1

B.2^N

C.N

D.N1

答案：A

解析：N位二进制计数器可以表示的状态数为