N型赝三元半导体掺Sn复合材料的微观结构与热电性能.pdf

目录

第1章绪论1

1.1研究背景1

1.2热电效应及其物理机制1

1.2.1Seebeck效应1

1.2.2Peltier效应2

1.2.3Thomson效应3

1.3热电材料研究现状分析3

1.3.1性能优化方法研究现状分析4

1.3.2制备方法研究现状分析6

1.4本文研究主要内容及创新点7

1.4.1本文研究主要内容7

1.4.2创新点7

第2章实验材料的制备过程及测试方法8

2.1实验流程8

2.2实验材料和样品制备9

2.2.1制备N型赝三元半导体掺Sn复合材料粉体9

2.2.2热压制备N型赝三元半导体掺Sn复合材料块体11

2.2.3五刀法切割样品11

2.2.4高温烧结样品12

2.3微观结构及霍尔效应测试14

2.3.1XRD测试14

2.3.2SEM测试14

2.3.3霍尔效应测试15

2.4热电性能测试16

2.4.1Seebeck系数测试16

2.4.2电导率测试17

2.4.3热导率测试19

第3章N型赝三元半导体掺Sn复合材料微观结构21

3.1微观结构分析21

3.1.1XRD图谱分析21

3.1.2SEM结构分析22

3.2载流子浓度26

3.3本章小结27

第4章N型赝三元半导体掺Sn复合材料热电性能28

4.1掺Sn浓度对材料热电性能的影响28

4.1.1Seebeck系数分析28

4.1.2电导率分析29

4.1.3功率因子分析30

4.1.4热导率分析31

4.1.5Z值分析33

4.2烧结温度对材料热电性能的影响33

4.2.1Seebeck系数分析33

4.2.2电导率分析34

4.2.3功率因子分析35

4.2.4热导率分析36

4.2.5Z值分析37

4.3本章小结38

结论40

参考文献41

摘要

摘要

半导体热电材料可以实现热能和电能的直接转化，提高转换效率是热电材料

发展进程中最为重要的一环。N型赝三元半导体材料是目前室温下性能最佳的热

NSnX

电材料。本文采用热压烧结法制备型赝三元半导体掺复合热电材料，使用

射线衍射仪、扫描电子显微镜和霍尔效应分析仪进行微观结构分析，通过测试

Seebeck系数、电导率和热导率探究制备工艺参数（掺Sn浓度和烧结温度）对材

料热电性能的影响机理。

微观结构分析表明，掺Sn前后X射线衍射峰没有发生偏移，并且存在Sn的

单质衍射峰，说明Sn与N型赝三元半导体材料混合，没有发生化合反应；扫描电

NSn

子显微图像中可以观察到型赝三元半导体存在层片状结构，存在金属晶粒；

霍尔效应测试结果显示，载流子浓度随掺Sn浓度的升高逐渐升高，这主要是Sn

的高载流子浓度造成的。经不同温度烧结后X射线衍射峰发生明显变化，在烧结

230℃X

温度低于的情况下随烧结温度的升高射线衍射峰变窄加高，说明较高的

烧结温度会促使晶粒长大，提高了材料的晶体化程度；当烧结温度高于Sn的熔点

230℃后X射线衍射峰峰形变得低矮，说明过高的烧结温度以及Sn的融化会破坏

材料的晶体化程度。

热电性能测试结果表明，随掺Sn浓度的升高N型赝三元半导体掺