硅衬底金属铪薄膜磁控溅射制备及物性研究.pdfVIP

目录

第1章绪论1

1.1引言1

1.2金属Hf物理化学特性2

1.3金属Hf材料相关研究现状3

1.4薄膜制备方法及机理4

1.4.1薄膜材料生长机理4

1.4.2薄膜制备方法5

1.4.3溅射镀膜原理5

1.4.4常见溅射方式7

1.5论文研究内容与目的9

第2章α-Hf薄膜制备实验方案和表征手段10

2.1引言10

2.2实验方案及步骤10

2.3薄膜材料测试表征分析方法11

2.3.1X射线衍射11

2.3.2场发射扫描电子显微镜12

2.3.3紫外-可见-近红外分光光度计13

2.3.4光谱椭偏仪14

2.3.5四探针法测电阻率14

第3章溅射功率对α-Hf微观结构及光电性能的影响15

3.1薄膜的制备及表征15

3.2溅射功率对α-Hf薄膜结构的影响15

3.2.1α-Hf薄膜晶体结构XRD分析15

3.2.2α-Hf薄膜表面截面形貌SEM分析17

3.3溅射功率对α-Hf薄膜光电性能的影响18

3.3.1薄膜电阻率分析18

3.3.2Si-Hf肖特基接触特性分析19

3.3.3薄膜光反射率分析20

3.3.4薄膜光吸收分析20

3.4本章小结22

第4章衬底温度对α-Hf微观结构及光电性能的影响23

4.1薄膜的制备与表征23

4.2衬底温度对α-Hf薄膜微观结构的影响23

4.2.1α-Hf薄膜晶体结构XRD分析23

4.2.2α-Hf薄膜表面截面形貌SEM分析25

4.3衬底温度对α-Hf薄膜光电性能的影响28

4.3.1薄膜电阻率分析28

4.3.2Si-Hf肖特基接触特性分析28

4.3.3薄膜光反射率分析29

4.3.4薄膜光吸收分析30

4.4本章小结31

结论33

参考文献34

摘要

摘要

过渡族难熔金属铪(Hf)在电子器件领域具有重要的应用价值，其变体之一α-Hf

GaNSi

的晶格常数与第三代半导体十分匹配，在目前半导体领域的发展最为成熟，

同时兼具高质量低成本的优势。在以Si衬底异质外延生长GaN工艺中，α-Hf作为

晶格匹配缓冲层将发挥重要作用。α-Hf和GaN除了具备晶格匹配的优势，同时还

有着良好的电导性及光反射特性，这对于GaN器件光电应用领域的研究具有重要

价值。本文采用直流溅射技术，在Si衬底上制备了α-Hf薄膜材料，研究实验参数

对薄膜形貌，空间结构，电学特性，光学特性的影响。

XRD(X)SEM()

利用射线衍射仪和扫描电子显微镜对薄膜材料的物相、晶体

结构、表面形貌等微观形态进行了表征，分析了制备条件与薄膜的微观形态之间

的联系。利用四探针法、紫外-可见-近红外分光光度计、I-V曲线、光谱椭偏仪研

I-V

究了制备条件对薄膜的电阻率、特性、光吸收、光反射特性的影响。

XRD结果表明，α-Hf-50W样品的c轴(002)择优取向程度更高，并且峰位角

大小、晶面间距均与标准粉末相α-Hf的数据值更加接近。不同衬底温度对于薄膜

α-Hf-450℃α-Hf-550℃(002)

的结晶质量影响明显，和样品均实现了择优取向生长，

其中α-Hf-550